随着科学技术的不断进步，尤其是光电产业和无线通讯的发展，氧化镁(MgO)单晶的需要量越来越大，发展前景非常广阔。在各领域应用中，氧化镁(MgO)单晶的尺寸一般要求在5 X 5 X 5mm-100 X 100 X IOOmm之间，甚至更大。目前生产氧化镁(MgO)晶体的主流技术是电弧炉熔融法。主要通过高温电弧作热源在原料中心形成熔体，在加热过程停止后熔体经自然冷却得到晶体
氧化镁（MgO）晶体价格
随着科学技术的不断进步，尤其是光电产业和无线通讯的发展，氧化镁(MgO)单晶的需要量越来越大，发展前景非常广阔。在各领域应用中，氧化镁(MgO)单晶的尺寸一般要求在5 X 5 X 5mm-100 X 100 X IOOmm之间，甚至更大。目前生产氧化镁(MgO)晶体的主流技术是电弧炉熔融法。主要通过高温电弧作热源在原料中心形成熔体，在加热过程停止后熔体经自然冷却得到晶体。传统的电弧炉的结构较为简单，炉壳是由耐火砖与钢壳构成，电极的功率和位置控制主要是靠经验手动操作。
单晶氧化镁是指MgO含量在99.95%以上，具有极强的耐高低温（高温2500℃，低温-270℃）抗腐蚀性、绝缘性和良好的导热性和光学性能、无色透明的晶体。氧化镁(MgO)单晶具有优良的耐高低温特性(_270°C 2800°C)、高纯度(彡99. 95%)、抗腐蚀、的绝缘性、良好导热性、良好的透光性(光波长200-2000nm时透过率为85、9%，光波长2. 5-7 μ m时透过率大于92%)等优良特性。
在高温超导领域，氧化镁晶体作为薄膜生长基片和半导体材料的衬底驻基片同其它材料相比(如金刚石、白蓝宝石等)具有明显的价格优势，且性能良好。氧化镁的熔点在2800°C以上，沸点为3600°C，所以要想得到大尺寸、高纯度的氧化镁单晶，对原料的选择和控制要求非常严格。其次，要得到生长好、大尺寸的高质量晶体，整个冶炼过程非常耗时耗能，将长达几十个小时。
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