光刻胶：用化学反应进行图像转移的媒介
光刻胶具有光化学敏感性，其经过曝光、显影、刻蚀等工艺，可以将设计好的微细图形从掩膜版转移到待加工基片。
光刻胶和集成电路制造产业链的前端的即为光刻胶化学品，生产而得的不同类型的光刻胶被应用于消费电子、家用电器、信息通讯、汽车电子、航空航天等在内的各个下游终端领域，需求较为分散。
光刻胶基于应用领域不同一般可以分为半导体
NR74g 3000PY光刻胶公司
光刻胶：用化学反应进行图像转移的媒介
光刻胶具有光化学敏感性，其经过曝光、显影、刻蚀等工艺，可以将设计好的微细图形从掩膜版转移到待加工基片。
光刻胶和集成电路制造产业链的前端的即为光刻胶化学品，生产而得的不同类型的光刻胶被应用于消费电子、家用电器、信息通讯、汽车电子、航空航天等在内的各个下游终端领域，需求较为分散。
光刻胶基于应用领域不同一般可以分为半导体集成电路（IC）光刻胶、 PCB光刻胶以及LCD光刻胶三个大类。其中， PCB光刻胶占市场24.5%，半导体IC光刻胶占市场24.1%，LCD光刻胶占市场26.6%。
NR9-3000PYNR74g 3000PY光刻胶公司
五、曝光
在这一步中，将使用特定波长的光对覆盖衬底的光刻胶进行选择性地照射。光刻胶中的感光剂会发生光化学反应，从而使正光刻胶被照射区域（感光区域）、负光刻胶未被照射的区域（非感光区）化学成分发生变化。为了提高曝光系统分辨率的性能，Futurrex的光刻胶正在研究在曝光光刻胶的表面覆盖抗反射涂层的新型光刻胶技术。这些化学成分发生变化的区域，在下一步的能够溶解于特定的显影液中。
在接受光照后，正性光刻胶中的感光剂DQ会发生光化学反应，变为乙烯酮，并进一步水解为茚并羧酸（Indene-Carboxylic-Acid, CA），羧酸在碱性溶剂中的溶解度比未感光部分的光刻胶高出约100倍，产生的羧酸同时还会促进酚醛树脂的溶解。利用感光与未感光光刻胶对碱性溶剂的不同溶解度，就可以进行掩膜图形的转移。依照化学反应和显影原理分类，光刻胶可以分为正性光刻胶和负性光刻胶。
曝光方法：
a、接触式曝光（Contact Printing）掩膜板直接与光刻胶层接触。
b、接近式曝光（Proximity Printing）掩膜板与光刻胶层的略微分开，大约为10～50μm。
c、投影式曝光（Projection Printing）。在掩膜板与光刻胶之间使用透镜聚集光实现曝光。
d、步进式曝光(Stepper)
美国Futurre光刻胶
30．想请教国产光刻胶不能达到膜厚要求，进口的有没有比较好的光刻胶啊？
都可以啊！goodpr是大陆比较多公司采用的，
但是Futurre 光刻胶在国外是比较有名气的，包括很多大型企业都有用，膜厚做的也
比较厚从18um-200um都 可以做到，看你对工艺的要求了。
光刻胶FUTURRE光刻胶产品属性：
1 FUTURRE光刻胶产品简要描述及优势:
1.1 Futurre光刻胶黏附性好，无需使用增粘剂（HMDS）
1.2 负性光刻胶常温下可保存3年
1.3 150度烘烤，缩短了烘烤时间
1.4 单次旋涂能够达到100um膜厚
1.5 显影速率快，100微米的膜厚，仅需6~8分钟
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