多主栅半片组件功率提升研究
功率提升模拟研究
模拟仅改变主栅数量和焊丝直径，其他参数保持一致；
焊丝直径在常规使用的350μm 时，9BB半片组件较12BB半片组件功率高 0.43W ，焊丝直径进一步降低，功率差异减小，在225μm左右时，12BB半片组件功率高于9BB。
公司以晶硅电池组件生产为基础，以储能装备制造和智能微电网开发应用及
单晶硅12栅光伏组件
多主栅半片组件功率提升研究
功率提升模拟研究
模拟仅改变主栅数量和焊丝直径，其他参数保持一致；
焊丝直径在常规使用的350μm 时，9BB半片组件较12BB半片组件功率高 0.43W ，焊丝直径进一步降低，功率差异减小，在225μm左右时，12BB半片组件功率高于9BB。
公司以晶硅电池组件生产为基础，以储能装备制造和智能微电网开发应用及售电业务为产业方向，是一家致力于新技术开发、材料和装备制造以及新能源系统开发、集成及管理的科技型企业。
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一种多主栅电池片，包括正面电极、背电极和背电场9，正面电极包括多根副栅线和多根主栅线，副栅线和主栅线垂直设置，每根主栅线由两个边缘焊点2以及在该两个边缘焊点2之间依次排列的多个小焊点1组成。（1）每年到达地球表面上的太阳辐射能约相当于130万亿吨煤，其总量属现今世界上可以开发的da能源。一般地，主栅线12～22根可调，各主栅线相互平行，小焊点个数8～30个可调，本实施例中，正面电极具有16根(图1中纵向线条)，每根主栅线的小焊点1的个数为16个。
多主栅对于焊接对位的精度要求较高，对位不好会导致焊接不良，因此，正面电极还设有Mark点，作为多主栅对位的重要手段之一，便于组件焊接对位，Mark点配合设备可有效解决对位的问题。
本实用新型采用了断栅设计、副主栅设计，相邻两根副栅线中的一根为连续副栅线4，呈连续直线结构；另一根为间断副栅线5，呈规律性断开式分布的虚线结构；间断副栅线5的断开处6产生两个断开端，其中一个断开端通过一根副主栅7与相邻于该间断副栅线5的一根连续副栅线4衔接，另一个断开端通过另一根副主栅7以错位方式与相邻于该间断副栅线5的另一根连续副栅线4衔接。本实施例中间断副栅线在相邻两根主栅线之间设有一处断开，间断副栅线5的断开处6产生的两个断开端之间的距离为0.8～5mm。多主栅组件多主栅技术可降低遮光面积并减少电阻损耗，提高电池效率，以及提升焊带区域光学利用率，进一步提升组件功率输出。
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