氧化锌(ZnO) 是很好的GaN薄膜衬底材料，具有60mev的激子束缚能以及室温下3.73ev带宽使之成为紫外以及可见光发光材料．同时由于具有可见区透明，机电耦合系数大，能使气体分子在其表面的吸附－解析等性质,有望在高峰值能量的能量限制器、大直径高质量的GaN的衬底、未来的5GHz之外的无线通信、高电场设备、高温高能电子器件、高电场设备、高温高能电子器件等方面得到广泛应
ZnO晶体价格
氧化锌(ZnO) 是很好的GaN薄膜衬底材料，具有60mev的激子束缚能以及室温下3.73ev带宽使之成为紫外以及可见光发光材料．同时由于具有可见区透明，机电耦合系数大，能使气体分子在其表面的吸附－解析等性质,有望在高峰值能量的能量限制器、大直径高质量的GaN的衬底、未来的5GHz之外的无线通信、高电场设备、高温高能电子器件、高电场设备、高温高能电子器件等方面得到广泛应用。
氧化锌（ZnO）晶体具有四种晶体结构，闪锌矿结构（与金刚石类似，可看成氧原子FCC排列，4个锌原子占据金刚石中晶胞内四个碳原子的位置）；NaCl结构；CsCl结构（氧原子简单立方排列，锌原子占据体心位置）；纤锌矿结构（六方结构，氧原子层和锌原子层呈六方紧密排列）。ZnO晶体随着环境条件的改变形成不同结构的晶体。ZnO晶体中的化学键既有离子键的成分，又有共价键的成分，两种成分的含量差不多，因而使得ZnO晶体中的化学键没有离子晶体那么强，导致其在一定的外界条件下更容易发生晶体结构上的改变。
一种生长氧化锌晶体的方法,在真空下,通入保护气,以氧化锌的粉为粉源,将氧化锌的粉加热使其升华为气体,所述升华的气体在温度梯度作用下被输运到氧化锌籽晶表面且结晶生长.采用升华法生长氧化锌晶体装置,加热速度快,生长室容易达到高真空,可通过改变工艺条件实现对氧化锌晶体尺寸,生长速度的控制,可获得高质量大尺寸氧化锌晶体;克服了现有技术生长速率低的不足,且工艺设备要求简单,成本较低.
（作者： 来源：）
