金属封装外壳编程囊括了加工的工序设定、刀具选择，转速设定，刀具每次进给的距离等等。此外，不同产品的装夹方式不同，在加工前要设计好夹具，部分结构复杂产品需要做专门的夹具.为了减少陶瓷基板上的应力，设计者可以用几个较小的基板来代替单一的大基板，分开布线。退火的纯铜由于机械性能差，很少使用。加工硬化的纯铜虽然有较高的屈服强度，但在外壳制造或密封时不高的温度就会使它退火软化，
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金属封装外壳编程囊括了加工的工序设定、刀具选择，转速设定，刀具每次进给的距离等等。此外，不同产品的装夹方式不同，在加工前要设计好夹具，部分结构复杂产品需要做专门的夹具.为了减少陶瓷基板上的应力，设计者可以用几个较小的基板来代替单一的大基板，分开布线。退火的纯铜由于机械性能差，很少使用。加工硬化的纯铜虽然有较高的屈服强度，但在外壳制造或密封时不高的温度就会使它退火软化，在进行机械冲击或恒定加速度试验时造成外壳底部变形。金属基复合材料金属封装是采用金属作为壳体或底座，芯片直接或通过基板安装在外壳或底座上，引线穿过金属壳体或底座大多采用玻璃—金属封接技术的一种电子封装形式。传统金属封装材料及其局限性芯片材料如Si、GaAs以及陶瓷基板材料如A12O3、BeO、AIN等的热膨胀系数(CTE)介于3×10-6-7×10-6K-1之间。金属封装材料为实现对芯片支撑、电连接、热耗散、机械和环境的保护，应具备以下的要求：①与芯片或陶瓷基板匹配的低热膨胀系数,减少或避免热应力的产生；
此外，为解决封装的散热问题，各类封装也大多使用金属作为热沉和散热片。本文主要介绍在金属封装中使用和正在开发的金属材料，这些材料不仅包括金属封装的壳体或底座、引线使用的金属材料，也包括可用于各种封装的基板、热沉和散热片的金属材料。国内外已广泛生产并用在大功率微波管、大功率激光二极管和一些大功率集成电路模块上。由于Cu-Mo和Cu-W之间不相溶或浸润性极差，况且二者的熔点相差很大，给材料制备带来了一些问题；因此用碳纤维(高纯石墨化学纤维)提高的铜基复合材料在高功率主要用途很有力。如果制备的Cu／W及Cu／Mo致密程度不高，则气密性得不到保证，影响封装性能。另一个缺点是由于W的百分含量高而导致Cu／W密度太大，增加了封装重量。、铝纯铜也称之为无氧高导铜(OFHC)，电阻率1．72μΩ·cm，仅次于银。它的热导率为401W(m-1K-1)，从传热的角度看，作为封装壳体是非常理想的，可以使用在需要高热导和／或高电导的封装里，然而，它的CTE高达16．5×10-6K-1，可以在刚性粘接的陶瓷基板上造成很大的热应力。
j金属外壳加工工艺大概能够分成3种、一种是全CNC加工，一种是压铸，也有便是将CNC与压铸融合应用。CNC加工加工工艺：全CNC加工说白了就是以一块铝合金板材（或是别的金属复合材料板才）刚开始，运用高精密CNC加工数控车床立即加工成必须的手机上后盖板样子，包含内框中的各种各样楼梯、凹形槽、螺钉孔等构造；新式的金属封装材料以及运用除开Cu／W及Cu／Mo之外，传统式金属封装材料全是单一金属或铝合金，他们常有一些不够，无法解决当代封裝的发展趋势。常有Al2O3弥散加强无氧运动高导铜商品，如英国SCM金属制造企业的Glidcop带有99．7％的铜和0．3％弥散遍布的Al2O3。添加Al2O3后，热导率稍有降低，为365W(m-1K-1)，电阻率略微提升，为1．85μΩ·cm，但抗拉强度获得持续上升。铜、铝全铜也称作无氧运动高导铜(OFHC)，电阻率1．72μΩ·cm，仅次银。它的热导率为401W(m-1K-1)，从热传导的角度观察，做为封裝罩壳是十分理想化的，能够应用在必须高烧导和／或高电导的封裝里，殊不知，它的CTE达到16．5×10-6K-1，能够在刚度粘合的陶瓷基板上导致挺大的焊接应力。
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