在所有应用产业中,半导体产业对靶材溅射薄膜的要求是苛刻的。如今12英寸(300衄口)的硅晶片已制造出来.而互连线的宽度却在减小。硅片制造商对靶材的要求是大尺寸、高纯度、低偏析和细晶粒,这就要求所制造的靶材具有更好的微观结构。采用连续硫化法时,在挤压机的挤压筒内的半径方向上有非常大的剪切速度分布,这可能会影响电子导电性填充剂的分散。靶材的结晶粒子直径和均匀性已被认为是影响
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在所有应用产业中,半导体产业对靶材溅射薄膜的要求是苛刻的。如今12英寸(300衄口)的硅晶片已制造出来.而互连线的宽度却在减小。硅片制造商对靶材的要求是大尺寸、高纯度、低偏析和细晶粒,这就要求所制造的靶材具有更好的微观结构。采用连续硫化法时,在挤压机的挤压筒内的半径方向上有非常大的剪切速度分布,这可能会影响电子导电性填充剂的分散。靶材的结晶粒子直径和均匀性已被认为是影响薄膜沉积率的关键因素。另外,薄膜的纯度与靶材的纯度关系极大,过99.995%(4N5)纯度的铜靶,或许能够满足半导体厂商0.35pm工艺的需求,但是却无法满足如今0.25um的工艺要求。

超纯金属的制备有化学提纯法如精馏(特别是金属氯化物的精馏及氢还原)、升华、溶剂萃取等和物理提纯法如区熔提纯等(见硅、锗、铝、铟)。其中以区熔提纯或区熔提纯与其他方法相 结合有效。

由于容器与药剂中杂质的污染,使得到的金属纯度受到一定的限制,只有用化学方法将金属提纯到一定纯度之后,再用物理方法如区熔提纯,才能将金属纯度提到一个新的高度。可以用半导体材料锗及超纯金属铝为例说明典型的超纯金属制备及检测的原理(见区域熔炼)。靶材的结晶粒子直径和均匀性已被认为是影响薄膜沉积率的关键因素。
贵金属由于具有的物理化学性能,当代科学技术的飞速发展,贵金属将会越来越多的应用于国民经济中的航空、航天、航海、火箭、原子能、微电子技术等高科技领域及石油化工、化学工业、汽车尾气净化等与人类生活息息相关的领域,并在众多的应用领域中起着关键的的作用,因此被誉为“首要高技术金属”、“现代工业的维生素”“现代新金属”,发达的长期以来一直把贵金属视为“战略性物质”。各种类型的溅射薄膜材料在半导体集成电路(VLSI)、光碟、平面显示器以及工件的表面涂层等方面都得到了广泛的应用。

背靶的选择
对材质的要求:一般选用无氧铜和钼靶,厚度在3mm左右
导电性好:常用无氧铜,无氧铜的导热性比紫铜好;
强度足够:太薄,易变形,不易真空密封。
结构要求:空心或者实心结构;
厚度适中:3mm左右,太厚,消耗部分磁强;太薄,容易变形。
铟焊绑定的流程
1.绑定前的靶材和背板表面预处理
2.将靶材和背板放置在钎焊台上,升温到绑定温度
3.做靶材和背板金属化
4.粘接靶材和背板

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