密度大也使Cu／W具有对空间辐射总剂量(TID)环境的优良屏蔽作用，因为要获得同样的屏蔽作用，使用的铝厚度需要是Cu／W的16倍。新型的金属封装材料及其应用除了Cu／W及Cu／Mo以外，传统金属封装材料都是单一金属或合金，它们都有某些不足，难以应对现代封装的发展。国内外已广泛生产并用在大功率微波管、大功率激光二极管和一些大功率集成电路模块上。由于Cu-Mo和Cu-W之间不相溶或
金属封装外壳公司
密度大也使Cu／W具有对空间辐射总剂量(TID)环境的优良屏蔽作用，因为要获得同样的屏蔽作用，使用的铝厚度需要是Cu／W的16倍。新型的金属封装材料及其应用除了Cu／W及Cu／Mo以外，传统金属封装材料都是单一金属或合金，它们都有某些不足，难以应对现代封装的发展。国内外已广泛生产并用在大功率微波管、大功率激光二极管和一些大功率集成电路模块上。由于Cu-Mo和Cu-W之间不相溶或浸润性极差，况且二者的熔点相差很大，给材料制备带来了一些问题；如果制备的Cu／W及Cu／Mo致密程度不高，则气密性得不到保证，影响封装性能。新型的金属封装材料及其应用除了Cu／W及Cu／Mo以外，传统金属封装材料都是单一金属或合金，它们都有某些不足，难以应对现代封装的发展。另一个缺点是由于W的百分含量高而导致Cu／W密度太大，增加了封装重量。Cu／W和Cu／Mo为了降低Cu的CTE，可以将铜与CTE数值较小的物质如Mo、W等复合，得到Cu／W及Cu／Mo金属-金属复合材料。这些材料具有高的导电、导热性能，同时融合W、Mo的低CTE、高硬度特性。Cu／W及Cu／Mo的CTE可以根据组元相对含量的变化进行调整，可以用作封装底座、热沉，还可以用作散热片。
一种金属封装外壳及其制备工艺的制作方法
气密性比较好，对内 部电路的保护更好。
因此，对于大功率封装外壳来说，散热及屏蔽两个因素尤其重要，目前，现有技术 中的金属封装外壳很难做到两者均具备优异的性能，解决了散热问题，会造成屏蔽效果变 差，相反，解决了屏蔽问题，又很难做到良好的散热效果，这就使得市场上急需一种散热效 果好同时具备屏蔽性能强的封装外壳产品。金属封装机壳除此之外相对密度很大，不宜航空公司、航空航天主要用途。
使之为大功率器件 的散热提供有效保障，提1广品使用寿命，减少了芯片电路的1温失效几率。引线采用铜芯材料作为引脚，大大增加了产品的载流量；有效提高了元器件功 率，同时增强了散热效果，为大功率外壳电路的载流量提供保障。通过采用本发明制备工艺制备的金属外壳，具备更可靠的保护性能，以及具备 耐高温、耐腐蚀等特点。如果制备的Cu／W及Cu／Mo致密程度不高，则气密性得不到保证，影响封装性能。
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