双室磁控溅射系统
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设备简介
主要特点是设备体积小，结构简单紧凑易于操作，对实验室供电要求低；该系列设备主要部件采用进口或者国内的配置，从而提高设备的稳定性；另外自主开发的智能操作系统在设备的运行重复性及安全性方面得到更好地保障。 目前该系列有基本型、旗舰型、豪华型、尊享型4种不同配置可供选择，可以根
真空磁控溅射镀膜设备报价
双室磁控溅射系统
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设备简介
主要特点是设备体积小，结构简单紧凑易于操作，对实验室供电要求低；该系列设备主要部件采用进口或者国内的配置，从而提高设备的稳定性；另外自主开发的智能操作系统在设备的运行重复性及安全性方面得到更好地保障。 目前该系列有基本型、旗舰型、豪华型、尊享型4种不同配置可供选择，可以根据客户的不同需求进行配置，比较灵活；标配4只Φ2英寸永磁靶，4台500W直流溅射电源，主要用来开发纳米级单层及多层的金属导电膜、半导体膜以及绝缘膜等。磁控溅射设备的主要用途沈阳鹏程真空技术有限责任公司拥有的技术，我们都以质量为本，信誉高，我们竭诚欢迎广大的顾客来公司洽谈业务。
磁控溅射的种类介绍
磁控溅射包括很多种类。各有不同工作原理和应用对象。但有一共同点：利用磁场与电场交互作用，使电子在靶表面附近成螺旋状运行，从而增大电子撞击气产生离子的概率。所产生的离子在电场作用下撞向靶面从而溅射出靶材。
靶源分平衡式和非平衡式，平衡式靶源镀膜均匀，非平衡式靶源镀膜膜层和基体结合力强。平衡靶源多用于半导体光学膜，非平衡多用于磨损装饰膜。在溅射粒子中，中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜，而产生的二次电子会受到电场和磁场作用，产生E（电场）×B（磁场）所指的方向漂移，简称E×B漂移，其运动轨迹近似于磁控溅射一条摆线。磁控阴极按照磁场位形分布不同，大致可分为平衡态磁控阴极和非平衡态磁控阴极。平衡态磁控阴极内外磁钢的磁通量大致相等，两极磁力线闭合于靶面，很好地将电子/等离子体约束在靶面附近，增加了碰撞几率，提高了离化效率，因而在较低的工作气压和电压下就能起辉并维持辉光放电，靶材利用率相对较高。
但由于电子沿磁力线运动主要闭合于靶面，基片区域所受离子轰击较小。非平衡磁控溅射技术，即让磁控阴极外磁极磁通大于内磁极，两极磁力线在靶面不完全闭合，部分磁力线可沿靶的边缘延伸到基片区域，从而部分电子可以沿着磁力线扩展到基片，增加基片磁控溅射区域的等离子体密度和气体电离率。不管平衡还是非平衡，若磁铁静止，其磁场特性决定了一般靶材利用率小于30%。（3）在微电子领域作为一种非热式镀膜技术，主要应用在化学气相沉积（CVD）或金属有机（4）化学气相沉积（CVD）生长困难及不适用的材料薄膜沉积，而且可以获得非常均匀的薄膜。为增大靶材利用率，可采用旋转磁场。但旋转磁场需要旋转机构，同时溅射速率要减小。旋转磁场多用于大型或贵重靶，如半导体膜溅射。对于小型设备和一般工业设备，多用磁场静止靶源。
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溅射镀膜的特点
溅射就是从靶表面撞击出原子物质的过程。溅射产生的原子或分子沉积到基体(零件)表面的过程就是溅射镀膜。
溅射镀膜与真空镀膜相比,有如下特点:
1.任何物质都可以溅射, 尤其是高熔点金属、低蒸气压元素和化合物;
2.溅射薄膜与衬底的附着性好;
3.溅射镀膜的密度高,孔少,膜层纯度高;
4.膜层厚度可控性和重复性好。
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