蒸镀中关键的两个参数是真空度（≤10-3Pa）和相对蒸发源的基片距离（10~50cm）。蒸镀过程中，膜层粒子与真空室中的气体的碰撞是应该避免的，因此，相对蒸发源的基片距离应大于工作状态下真空室内气体分子的平均自由程。
溅射镀膜过程为：气体放电→等离子体→带电离子→电场作用→离子加速→高能离子→撞击靶材→溅射→发射靶材原子→飞向基板→形成沉积→获得薄膜。
物理
手机纳米镀膜设备
蒸镀中关键的两个参数是真空度（≤10-3Pa）和相对蒸发源的基片距离（10~50cm）。蒸镀过程中，膜层粒子与真空室中的气体的碰撞是应该避免的，因此，相对蒸发源的基片距离应大于工作状态下真空室内气体分子的平均自由程。
溅射镀膜过程为：气体放电→等离子体→带电离子→电场作用→离子加速→高能离子→撞击靶材→溅射→发射靶材原子→飞向基板→形成沉积→获得薄膜。
物理气相沉积（PVD）是一项众所周知的技术，广泛应用于薄膜沉积，涉及许多方面，包括摩擦学性能改善，光学增强，视觉/美学提升以及许多其他领域，涉及范围广泛。已经建立的应用程序。加工工具可能是该沉积技术的常见应用之一，有时与化学气相沉积（CVD）结合使用，以延长其使用寿命，减少摩擦并改善热性能。然而，CVD工艺在较高的温度下进行，从而在涂层和基材中产生较高的应力，基本上仅在需要使用该工艺沉积所需的涂层时才使用。为了改进此技术，已进行了多项研究，以优化PVD技术，方法是增加等离子体电离，减少暗区（反应器中没有沉积物的区域），改善靶材的使用，提高原子轰击效率，甚至提高沉积速率并优化气体选择。
关于PVD工艺，常见的气态表面涂覆方法是蒸发和溅射。这些技术允许在非常低的压力下从目标中提取颗粒，然后将其沉积并沉积到基板上。
蒸发过程中使用的反应器需要高真空压力值。通常，这些特征和参数具有较低的原子能和较少的气体吸附到涂层沉积物中。结果，与溅射技术相比，具有较大晶粒的颗粒的转移导致公认的较小的颗粒对基底的粘附性。在沉积过程中，一些污染物颗粒从熔化的涂料中释放出来并移动到基材上，从而降低了所得涂层的纯度。因此，尽管与溅射工艺相比，该技术具有更高的沉积速率，但是蒸发工艺通常用于具有较低表面形态要求的较厚的薄膜和涂层。
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