化学气相沉积技术类型介绍
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化学气相沉积装置主要的元件就是反应器。按照反应器结构上的差别，我们可以把化学气相沉积技术分成开管/封管气流法两种类型：
1 封管法这种反应方式是将一定量的反应物质和集体放置于反应器的两边，将反应器中抽成真空， 再向其中注入部分输运气体，然后再次密封， 再控制反应器两端的温度使其
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化学气相沉积技术类型介绍
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化学气相沉积装置主要的元件就是反应器。按照反应器结构上的差别，我们可以把化学气相沉积技术分成开管/封管气流法两种类型：
1 封管法这种反应方式是将一定量的反应物质和集体放置于反应器的两边，将反应器中抽成真空， 再向其中注入部分输运气体，然后再次密封， 再控制反应器两端的温度使其有一定差别，它的优点是：①能有效够避免外部污染；②无须持续抽气就能使是内部保持真空。
2 开管法这种制备方法的特点是反应气体混合物能够随时补充。废气也可以及时排出反应装置。以加热方法为区分，开管气流法应分为热壁和冷壁两种。前者的加热会让整个沉积室壁都会因此变热，所以管壁上同样会发生沉积。冷壁式加热一般会使用感应加热、通电加热以及红外加热等等。在当代，微型电子学元器件中越来越多的使用新型非晶态材料，这种材料包括磷硅玻璃、硼硅玻璃、SiO2以及Si3N4等等。
化学气相沉积法在金属材料方面的使用
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化学气相沉积法生产金属铱高温涂层从20世纪80年代起，NASA 开始尝试使用金属有机化合物化学气相沉积法制取出使用铼基铱作为涂层的复合喷管，并获得了成功，这时化学气相沉积法在生产金属涂层领域才有了一定程度上的突破。
NASA 使用了C15H21IrO6作为制取铱涂层的材料，并利用 C15H21IrO6的热分解反应进行沉积。铱的沉积速度很快，可以达到3~20μm/h。 沉积厚度也达到了50μm，C15H21IrO6的制取效率达 70%以上。
化学气相沉积的分类
化学气相沉积的方法很多，如常压化学气相沉积(Atmospheric pressure CVD，APCVD)、低压化学气相沉积(Low pressure CVD，LPCVD)、超高真空化学气相沉积(Ultrahigh vacuum CVD，UHVCVD)、激光化学气相沉积(Laser CVD，LCVD)、金属有机物化学气相沉积(Metal-organic CVD，MOCVD)，等离子体增强化学气相沉积（Plasma enhanced CVD，PECVD）等。由于反应气体、反应产物和基体的相互扩散，可以得到附着力好的膜层，这对表面钝化、抗蚀及等表面增强膜是很重要的。
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等离子体化学气相沉积
沈阳鹏程真空技术有限责任公司——脉冲激光沉积供应商，我们为您带来以下信息。
等离子体化学气相沉积简称PCVD，是一种用等离子体激发反应气体,促进在基体表面或近表面空间进行化学反应,生成固态膜的技术。等离子体化学气相沉积技术的基本原理是在高频或直流电场作用下，源气体电离形成等离子体，利用低温等离子体作为能量源，通入适量的反应气体，利用等离子体放电，使反应气体激发并实现化学气相沉积的技术。在辉光放电的等离子体中，电子经外电场加速后，其动能通常可达10eV左右，甚至更高，足以破坏反应气体分子的化学键，因此，通过高能电子和反应气体分子的非弹性碰撞，就会使气体分子电离（离化）或者使其分解，产生中性原子和分子生成物。
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