碳化硅（SiC）是目前发展成熟的宽禁带半导体材料，对SiC的研究非常重视，纷纷投入大量的人力物力积极发展，美国、欧洲、日本等不仅从层面上制定了相应的研究规划，而且一些国际电子业巨头也都投入巨资发展碳化硅半导体器件。
碳化硅厂家
与普通硅相比，采用碳化硅的元器件有如下特性：
1、高压特性
碳化硅器件是同等硅器件耐压的10倍，碳化硅肖特基管耐压可达2400V。碳化硅场效应管耐压可达数万伏，且通态电阻并不很大。
2、高频特性
3、高温特性
在硅材料已经接近理论性能极限的今天，SiC功率器件因其高耐压、低损耗等特性，一直被视为“理想器件”而备受期待。然而，相对于以往的Si材质器件，SiC功率器件在性能与成本间的平衡以及其对高工艺的需求，将成为SiC功率器件能否真正普及的关键。
目前,低功耗的碳化硅器件已经从实验室进入了实用器件生产阶段。
（作者：崔经理 来源：山东龙元材料有限公司）
