陶瓷电容器
精度能达到0.5级，局放＜5pC@14.4kV，介质损耗＜0.1%，雷电冲击75kVAC,1.2/50μs，正负极性各 15 次。
Ⅰ类陶瓷电容器当加载频率相对较低时，即使加载交流电压为额定交流电压时，流过电容器的电流额定电流时，电容器允许加载额定交流电压，当加载频率升高到即使加载电压没有达到交流额定电压时的电容器中流过的交流电流已达到额定电流值，这
互感器电容器厂家
陶瓷电容器
精度能达到0.5级，局放＜5pC@14.4kV，介质损耗＜0.1%，雷电冲击75kVAC,1.2/50μs，正负极性各 15 次。
Ⅰ类陶瓷电容器当加载频率相对较低时，即使加载交流电压为额定交流电压时，流过电容器的电流额定电流时，电容器允许加载额定交流电压，当加载频率升高到即使加载电压没有达到交流额定电压时的电容器中流过的交流电流已达到额定电流值，这是需要降低电容器的加载交流电压，以保证流过电容器的电流不超过额定电流值。不漏油：浸渍剂，常温呈固态，滴溶点高于70℃，在使用中不漏油，避免环境污染。
电容器的投切方式二
精度能达到0.5级，局放＜5pC@14.4kV，介质损耗＜0.1%，雷电冲击75kVAC,1.2/50μs，正负极性各 15 次
电子式无触点可控硅投切电容器装置（TSC）可控硅投切电容器，是利用了电子开关反应速度快的特点。采用过零触发电路，检测当施加到可控硅两端电压为零时，发出触发信号，可控硅导通。电晕是由于在介质/电极层之间存在空隙而产生的，它除了可以产生损坏设备的寄生信号外，还会导致电容器介质击穿。此时电容器的电压与电网电压相等，因此不会产生合闸涌流，解决了接触器合闸涌流的问题。但是，可控硅在导通运行时，可控硅结间会产生一伏左右的压降，通常15KVAR三角形接法的电容器，额定电流22A，则一个可控硅消耗功率约为22W。如以一个150KVAR电容柜来算，运行时可控硅投切装置消耗的功率可达600W，而且都变成热量，使机柜温度升高。同时可控硅有漏电流存在，当未接电容时，即使可控硅未导通，其输出端也是高电压。优点：无涌流，无触点，使用寿命长、维修少，投切速度快（5ms内）；缺点：价格高为接触器的3倍、投切速度0.5s左右
电容器的投切方式三
复合开关投切电容装置（TSC+MSC）复合开关投切装置工作原理是先由可控硅在电压过零时投入电容器，然后再由磁保持继电器触点并联闭合，可控硅退出，电容器在磁保持继电器触点闭合下运行。因而实现了投入无涌流运行不发热的目的。4、电容器在运行时，如发现该组电容器开关出现事故跳闸或高压跌落保险丝熔断现象，应退出运行，待查明电容器确无故障后方可再次投运。但为了降低成本，通常选用两只小功率，低耐压可控硅串联使用，利用可控硅20ms内电流可过载10倍额定电流的特性，过零投入，再用继电器闭合运行。而磁保持继电器触点偏小，且额定机械寿命一般为5万次，从目前投入市场使用情况看，可控硅时有击穿，磁保持继电器也有卡住不动作现象，工作不够稳定。优点：无涌流，不发热，节能；缺点：价格高为接触器的5倍、寿命短、故障较多、有漏电流、投切速度0.5s左右
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