氧化锆(YSZ)单晶基片是zui早应用于高温超导薄膜的材料之一。一般使用的氧化锆需要掺入钇作为稳定剂,常见浓度有13 mol%,YSZ具有机械和化学稳定性好、成本低的特点。常压下纯的 氧化锆有三种晶型，低温为单斜晶系，密度5.68g/cm3， 高温为四方晶系，密度6.10g/cm3，更高温度下为立方晶系，密度6.27g/cm3，三种晶型相互间的转化关系如下：单斜ZrO2
氧化锆晶体单晶
氧化锆(YSZ)单晶基片是zui早应用于高温超导薄膜的材料之一。一般使用的氧化锆需要掺入钇作为稳定剂,常见浓度有13 mol%,YSZ具有机械和化学稳定性好、成本低的特点。常压下纯的 氧化锆有三种晶型，低温为单斜晶系，密度5.68g/cm3， 高温为四方晶系，密度6.10g/cm3，更高温度下为立方晶系，密度6.27g/cm3，三种晶型相互间的转化关系如下：单斜ZrO2 → 四方ZrO2 → 立方ZrO2 → 熔体。
氧化锆(YSZ)单晶是目前发现的抗辐照能力zui强的绝缘体材料，在轻水堆中可用作“燃烧”多余钚的惰性基材以及储存核废物的基体而倍受关注。
氧化锆(YSZ)晶体技术参数。 晶体结构：立方；晶格常数:a = 5.125 ；密度:5.8 g / cm3；纯度: 99.99%；熔点: 2800°c；热膨胀系数:10.3 x10-6/ °c；介电常数:27；晶体生长方法：弧熔法。
立方氧化锆单晶体在光学特性上接近天然金刚石,国外自1976年以来仿金刚钻的立方锆进入宝石市场后风行于世界,需求量很大.本所自1982年开始对装饰用立方氧化锆晶体生长进行研究,建立了冷坩埚壳熔法生长高温晶体技术,随后又解决了用工业氧化锆原料生长出近乎无色立方氧化锆晶体的问题,与用化学纯氧化锆原料相比成本降低了70%左右.在当前国际市场上立方锆石不断降价情况下仍具有竞争能力.一般生长的晶体尺寸截面积为10×15mm~2,长度为40—50mm,成品率在80%以上.
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