NR7 6000PY光刻胶厂家规格

光刻胶的应用

1975年，美国的国际半导体设备与材料协会首先为微电子工业配套的超净高纯化学品制定了国际统一标准——SEMI标准。1978年，德国的伊默克公司也制定了MOS标准。为了提高曝光系统分辨率的性能，Futurrex的光刻胶正在研究在曝光光刻胶的表面覆盖抗反射涂层的新型光刻胶技术。两种标准对超净高纯化学品中金属杂质和(尘埃)微粒的要求各有侧重，分别适用于不同级别IC的制作要求。其中，SEMI标准更早取得世界范围内的普遍认可。

市场规模

半导体产业稳定增长，半导体产业向转移。据WSTS和SIA统计数据，2016年半导体市场规模为1659.0亿美元，增速达9.2%，大于增长速度（1.1%）。2016年半导体制造用光刻胶市场规模为19.55亿元，其配套材料市场规模为20.24亿元。而在一些半导体器件设计时，考虑到器件性能要求，需要对特定区域进行离子注入，使其满足各种器件不同功能的要求。预计2017和2018年半导体制造用光刻胶市场规模将分别达到19.76亿元和23.15亿元，其配套材料市场规模将分别达到22.64亿元和29.36亿元。在28nm生产线产能尚未得到释放之前，ArF光刻胶仍是市场主流半导体应用广泛，需求增长持续性强。近些年来，半导体厂商在大陆投设多家工厂，如台积电南京厂、联电厦门厂、英特尔大连厂、三星电子西安厂、力晶合肥厂等。诸多半导体工厂的设立，也拉动了国内半导体光刻胶市场需求增长。


NR9-3000PYNR7 6000PY光刻胶厂家

五、曝光

在这一步中，将使用特定波长的光对覆盖衬底的光刻胶进行选择性地照射。正胶PR1-2000A1技术资料正胶PR1-2000A1是为曝光波长为365或者436纳米，可用于晶圆步进器、扫描投影对准器、近程打印机和接触式打印机等工具。光刻胶中的感光剂会发生光化学反应，从而使正光刻胶被照射区域（感光区域）、负光刻胶未被照射的区域（非感光区）化学成分发生变化。这些化学成分发生变化的区域，在下一步的能够溶解于特定的显影液中。

在接受光照后，正性光刻胶中的感光剂DQ会发生光化学反应，变为乙烯酮，并进一步水解为茚并羧酸（Indene-Carboxylic-Acid, CA），羧酸在碱性溶剂中的溶解度比未感光部分的光刻胶高出约100倍，产生的羧酸同时还会促进酚醛树脂的溶解。NR9-3000PY负性光刻胶负胶NR9-3000PY被设计用于i线（365nm）曝光，可使用如步进光刻、扫描投影式光刻、接近式光刻和接触式光刻等工具。利用感光与未感光光刻胶对碱性溶剂的不同溶解度，就可以进行掩膜图形的转移。

曝光方法：

a、接触式曝光（Contact Printing）掩膜板直接与光刻胶层接触。

b、接近式曝光（Proximity Printing）掩膜板与光刻胶层的略微分开，大约为10～50μm。

c、投影式曝光（Projection Printing）。在掩膜板与光刻胶之间使用透镜聚集光实现曝光。

d、步进式曝光(Stepper)




美国Futurre光刻胶

30．想请教国产光刻胶不能达到膜厚要求，进口的有没有比较好的光刻胶啊？

都可以啊！goodpr是大陆比较多公司采用的，

但是Futurre 光刻胶在国外是比较有名气的，包括很多大型企业都有用，膜厚做的也

比较厚从18um-200um都 可以做到，看你对工艺的要求了。

光刻胶FUTURRE光刻胶产品属性：

1 FUTURRE光刻胶产品简要描述及优势:

1.1 Futurre光刻胶黏附性好，无需使用增粘剂（HMDS）

1.2 负性光刻胶常温下可保存3年

1.3 150度烘烤，缩短了烘烤时间

1.4 单次旋涂能够达到100um膜厚

1.5 显影速率快，100微米的膜厚，仅需6~8分钟



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