Cu基复合材料纯铜具有较低的退火点，它制成的底座出现软化可以导致芯片和／或基板开裂。为了提高铜的退火点，可以在铜中加入少量Al2O3、锆、银、硅。这些物质可以使无氧高导铜的退火点从320℃升高到400℃，而热导率和电导率损失不大。金属基复合材料的常规原材料有很多种多样，但做为热配对复合材料用以封裝的主要是Cu基和灿基复合材料。金属基复合材料金属封装是采用金属作为壳体或
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Cu基复合材料纯铜具有较低的退火点，它制成的底座出现软化可以导致芯片和／或基板开裂。为了提高铜的退火点，可以在铜中加入少量Al2O3、锆、银、硅。这些物质可以使无氧高导铜的退火点从320℃升高到400℃，而热导率和电导率损失不大。金属基复合材料的常规原材料有很多种多样，但做为热配对复合材料用以封裝的主要是Cu基和灿基复合材料。金属基复合材料金属封装是采用金属作为壳体或底座，芯片直接或通过基板安装在外壳或底座上，引线穿过金属壳体或底座大多采用玻璃—金属封接技术的一种电子封装形式。它广泛用于混合电路的封装，主要是和定制的气密封装，在许多领域，尤其是在军事及航空航天领域得到了广泛的应用。金属封装外壳编程囊括了加工的工序设定、刀具选择，转速设定，刀具每次进给的距离等等。此外，不同产品的装夹方式不同，在加工前要设计好夹具，部分结构复杂产品需要做专门的夹具
非常好的导热性，提供热耗散；③非常好的导电性，减少传输延迟；④良好的EMI／RFI屏蔽能力； ⑤较低的密度，足够的强度和硬度，良好的加工或成形性能；⑥可镀覆性、可焊性和耐蚀性，以实现与芯片、盖板、印制板的可靠结合、密封和环境的保护；⑦较低的成本。传统金属封装材料包括Al、Cu、Mo、W、钢、可伐合金以及Cu／W和Cu／Mo等金属封装外壳此外密度较大，不适合航空、航天用途。1．3 钢10号钢热导率为49．8 W(m-1K-1)，大约是可伐合金的三倍，它的CTE为12．6×10-6K-1，与陶瓷和半导体的CTE失配，可与软玻璃实现压缩封接。不锈钢主要使用在需要耐腐蚀的气密封装里，不锈钢的热导率较低，如430不锈钢(Fe-18Cr，牌号4J18)热导率仅为26．1 W(m-1K-1)。这种材料已在金属封装中得到广泛使用，如美国Sinclair公司在功率器件的金属封装中使用Glidcop代替无氧高导铜作为底座。加工硬化的纯铜虽然有较高的屈服强度，但在外壳制造或密封时不高的温度就会使它退火软化，在进行机械冲击或恒定加速度试验时造成外壳底部变形。美国Sencitron公司在TO-254气密金属封装中使用陶瓷绝缘子与Glidcop引线封接。
一种金属封装外壳及其制备工艺的制作方法
所述壳体外部引线与壳体内部引线通过钎焊连接，连接处位于封接孔内。所述壳体为10#钢，所述底板为无氧铜，所述引线材料为4J50包铜芯，所述绝缘子 材料为铁封玻璃。
一种金属封装外壳的制备工艺，包括如下步骤：首先，将引线装入模具对应钎焊引线孔内，将焊料圈套于钎焊引线上，其次，将管 座内腔朝上装入已经装好引线和焊料圈的模具凹槽中，并调节引线对准封接孔。
4 μ m ;所述焊接的环境为高于99%的氮气环境，氧含量50ppm以下，所述焊接 的升温区间为570815°C，焊接的降温区间为815495°C，管座通过焊接温区的速度为 85mm/mi η 〇
所述引线采用如下方法制备：将导线依次用、碱性溶液、清水进行清洗并用酒精脱水，然后将脱水后的导线 进行退火，后对退火后的导线进行氧化处理，得到所述的引线。
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