磁控溅射法定义是什么？
磁控溅射法是在高真空充入适量的Ar，在阴极（柱状靶或平面靶）和阳极（镀膜室壁） 之间施加几百K 直流电压，在镀膜室内产生磁控型异常辉光放电，使Ar发生电离。Ar离子被阴极加速并轰击阴极靶表面，将靶材表面原子溅射出来沉积在基底表面上形成薄膜。
创世威纳——生产、销售 磁控溅射镀膜机，我们公司坚持用户为上帝，想用户之所想，急用户之所急，以
磁控溅射装置
磁控溅射法定义是什么？
磁控溅射法是在高真空充入适量的Ar，在阴极（柱状靶或平面靶）和阳极（镀膜室壁） 之间施加几百K 直流电压，在镀膜室内产生磁控型异常辉光放电，使Ar发生电离。Ar离子被阴极加速并轰击阴极靶表面，将靶材表面原子溅射出来沉积在基底表面上形成薄膜。
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直流磁控溅射技术
为了解决阴极溅射的缺陷，人们在20世纪开发出了直流磁控溅射技术，它有效地克服了阴极溅射速率低和电子使基片温度升高的弱点，因而获得了迅速发展和广泛应用。其原理是：在磁控溅射中，由于运动电子在磁场中受到洛仑兹力，它们的运动轨迹会发生弯曲甚至产生螺旋运动，其运动路径变长，因而增加了与工作气体分子碰撞的次数，使等离子体密度增大，从而磁控溅射速率得到很大的提高，而且可以在较低的溅射电压和气压下工作，降低薄膜污染的倾向；机械清洗的目的是去除基片表面的灰尘和可能残留的油渍等异物,并且不含活性离子,必要时还可采用超声清洗。另一方面也提高了入射到衬底表面的原子的能量，因而可以在很大程度上改善薄膜的质量。同时，经过多次碰撞而丧失能量的电子到达阳极时，已变成低能电子，从而不会使基片过热。因此磁控溅射法具有“高速”、“低温”的优点。该方法的缺点是不能制备绝缘体膜，而且磁控电极中采用的不均匀磁场会使靶材产生显著的不均匀刻蚀，导致靶材利用率低，一般仅为20%-30%。
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磁控溅射中靶zhong毒是怎么回事,一般的影响因素是什么？
靶面金属化合物的形成。
由金属靶面通过反应溅射工艺形成化合物的过程中，化合物是在哪里形成的呢？这种沉积速度显然增加了镀膜成本，从而限制了磁控溅射镀膜在光学上的应用。由于活性反应气体粒子与靶面原子相碰撞产生化学反应生成化合物原子，通常是放热反应，反应生成热必须有传导出去的途径，否则，该化学反应无法继续进行。在真空条件下气体之间不可能进行热传导，所以，化学反应必须在一个固体表面进行。反应溅射生成物在靶表面、基片表面、和其他结构表面进行。在基片表面生成化合物是我们的目的，在其他结构表面生成化合物是资源的浪费，在靶表面生成化合物一开始是提供化合物原子的源泉，到后来成为不断提供更多化合物原子的障碍。
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磁控溅射
磁控溅射法是在高真空充入适量的ya气，在阴极(柱状靶或平面靶)和阳极(镀膜室壁) 之间施加几百K 直流电压，在镀膜室内产生磁控型异常辉光放电，使ya气发生电离。
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