LED真空镀膜设备
工艺特点
（1）广泛应用于金属涂层、陶瓷涂层、无机涂层材料等。
（2）在产量方面，从单件到大批量皆可。
（3）有质量优势，沉积温度低，薄膜成份易控，膜厚与淀积时间成正比，均匀性，重复性好，台阶覆盖性优良。
（4）工具涂层的生产效率不如PVD，具体取决于特定技术要求和辅助工艺。
化学气相沉积曾是真空技术广泛用于陶瓷沉积的种技
LED真空镀膜设备
LED真空镀膜设备
工艺特点
（1）广泛应用于金属涂层、陶瓷涂层、无机涂层材料等。
（2）在产量方面，从单件到大批量皆可。
（3）有质量优势，沉积温度低，薄膜成份易控，膜厚与淀积时间成正比，均匀性，重复性好，台阶覆盖性优良。
（4）工具涂层的生产效率不如PVD，具体取决于特定技术要求和辅助工艺。
化学气相沉积曾是真空技术广泛用于陶瓷沉积的种技术，特别是对工具涂层更是这样。
镀膜机工艺在太阳能运用方面的运用当需求有用地运用太阳热能时，就要思考选用对太阳光线吸收较多、而对热辐射等所导致的损耗较小的吸收面。太阳光谱的峰值大约在波长为2-20μm之间的红外波段。
借助一种惰性气体的辉光放电使金属或合金蒸汽离子化。离子镀包括镀膜材料（如TiN，TiC）的受热、蒸发、沉积过程。
蒸发的镀膜材料原子在经过辉光区时，一小部分发生电离，并在电场的作用下飞向工件，以几千电子伏的能量射到工件表面，可以打入基体约几纳米的深度，从而大大提高了涂层的结合力，而未经电离的蒸发材料原子直接在工件上沉积成膜。惰性气体离子与镀膜材料离子在工件表面上发生的溅射，还可以清除工件表面的污染物，从而改善结合力。
在今天，讨论化学气相沉积与物理气相沉积的不同点，恐怕只剩下用于镀膜物料形态的区别，前者是利用易挥发性化合物或气态物质，而后者则利用固相(或液相)物质。这种区分似乎已失去原来定义的内涵实质。
我们仍然按照已有的习惯，主要以上述镀料形态的区别来区分化学气相沉积和物理气相沉积，把固态(液态)镀料通过高温蒸发、溅射、电子束、等离子体、离子束、激光束、电弧等能量形式产生气相原子、分子、离子(气态，等离子态)进行输运，在固态表面上沉积凝聚(包括与其他反应气相物质进行化学反应生成反应产物)，生成固相薄膜的过程称为物理气相沉积。
（1）化学气相沉积（CVD）反应温度一般在900~1200℃，中温CVD例如MOCVD（金属有机化合物化学气相沉积），反应温度在500~800℃。若通过气相反应的能量，还可把反应温度降低。
“辅助”CVD的工艺较多，主要有：
① 电子辅助CVD（EACVD）（也称为电子束辅助CVD，电子增强CVD，或电子束诱导CVD），涂层的形成在电子作用下得到改进。
② 激光辅助CVD（LACVD)，也称为激光CVD或光子辅助CVD，涂层的形成在激光辐照作用下得到改进。
③ 热丝CVD，也称为热CVD，一根热丝放在被镀物件附近进行沉积。
④ 金属有机化合物CVD（MOCVD），是在一种有机金属化合物气氛（这种气氛在室温时是稳定的，但在高温下分解）中进行沉积。
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