非常好的导热性，提供热耗散；③非常好的导电性，减少传输延迟；④良好的EMI／RFI屏蔽能力； ⑤较低的密度，足够的强度和硬度，良好的加工或成形性能；⑥可镀覆性、可焊性和耐蚀性，以实现与芯片、盖板、印制板的可靠结合、密封和环境的保护；⑦较低的成本。传统金属封装材料包括Al、Cu、Mo、W、钢、可伐合金以及Cu／W和Cu／Mo等金属封装外壳此外密度较大，不适合航空、航天用
定制金属管壳
非常好的导热性，提供热耗散；③非常好的导电性，减少传输延迟；④良好的EMI／RFI屏蔽能力； ⑤较低的密度，足够的强度和硬度，良好的加工或成形性能；⑥可镀覆性、可焊性和耐蚀性，以实现与芯片、盖板、印制板的可靠结合、密封和环境的保护；⑦较低的成本。传统金属封装材料包括Al、Cu、Mo、W、钢、可伐合金以及Cu／W和Cu／Mo等金属封装外壳此外密度较大，不适合航空、航天用途。1．3 钢10号钢热导率为49．8 W(m-1K-1)，大约是可伐合金的三倍，它的CTE为12．6×10-6K-1，与陶瓷和半导体的CTE失配，可与软玻璃实现压缩封接。金属封裝外壳压铸成形工艺：全压铸的工艺和塑胶制品的生产工艺流程十分相似，全是运用精密机械制造开展生产加工，仅仅材料由塑胶改为了溶化的金属。不锈钢主要使用在需要耐腐蚀的气密封装里，不锈钢的热导率较低，如430不锈钢(Fe-18Cr，牌号4J18)热导率仅为26．1 W(m-1K-1)。这种材料已在金属封装中得到广泛使用，如美国Sinclair公司在功率器件的金属封装中使用Glidcop代替无氧高导铜作为底座。美国Sencitron公司在TO-254气密金属封装中使用陶瓷绝缘子与Glidcop引线封接。
为了减少陶瓷基板上的应力，设计者可以用几个较小的基板来代替单一的大基板，分开布线。退火的纯铜由于机械性能差，很少使用。添加Al2O3后，热导率稍有降低，为365W(m-1K-1)，电阻率略微提升，为1．85μΩ·cm，但抗拉强度获得持续上升。加工硬化的纯铜虽然有较高的屈服强度，但在外壳制造或密封时不高的温度就会使它退火软化，在进行机械冲击或恒定加速度试验时造成外壳底部变形。+虽然设计者可以采用类似铜的办法解决这个问题，但铜、铝与芯片、基板严重的热失配，给封装的热设计带来很大困难，影响了它们的广泛使用。1．2 钨、钼Mo的CTE为5．35×10-6K-1，与可伐和Al2O3非常匹配，它的热导率相当高，为138 W(m-K-1)，故常作为气密封装的底座与可伐的侧墙焊接在一起，用在很多中、高功率密度的金属封装中.金属封装外壳压铸成型工艺：全压铸的工艺和塑料制品的生产流程十分相似，都是利用精密模具进行加工，只是材质由塑料改成了融化的金属；CNC与压铸结合工艺；
金属封装机壳程序编写包揽了加工的工艺流程设置、数控刀片挑选，转速比设置，数控刀片每一次走刀的间距这些。⑥可镀覆性、可焊性和耐蚀性，以实现与芯片、盖板、印制板的可靠结合、密封和环境的保护。除此之外，不一样商品的夹装方法不一样，在加工前应设计方案好夹具，一部分构造繁琐商品必须做的夹具.传统式金属封装原材料以及局限芯片原材料如Si、GaAs及其陶瓷基板原材料如A12O3、BeO、AIN等的热膨胀系数(CTE)接近3×10-6-7×10-6K-1中间。金属封装原材料为完成对芯片支撑点、电联接、热失配、机械设备和自然环境的维护，应具有下列的规定：①与芯片或陶瓷基板配对的低热膨胀系数,降低或防止焊接应力的造成；金属封装多种形式、加工灵便，能够和一些构件(如混和集成化的A／D或D／A转化器)结合为一体，合适于低I／O数的单芯片和多芯片的主要用途，也合适于频射、微波加热、光学、声表面波和大电力电子器件，能够考虑批量生产、销售电价的规定。
金属封装外壳的特点及前景
金属外壳的发展前景应用及要求
随着各电子行业的发展需求，金属封装外壳广泛应用于航天、航空、航海、野战、雷达、通讯、等军民用领域。这种化学物质能够使无氧运动高导铜的退火点从320℃上升到400℃，而热导率和导电率损害并不大。目前，微电子领域产品运用的越来越广范，需求的量越来越大，外壳作为集成电路的关键组件之一，主要起着电路支撑、电信号传输、散热、密封及化学防护等作用，在对电路的可靠性影响以及占电路成本的比例方面，外壳均占有重要地位。
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