测试参数:
ICES 集电极-发射极漏电流
IGESF 正向栅极漏电流
IGESR 反向栅极漏电流
BVCES 集电极-发射极击穿电压
VGETH 栅极-发射极阈值电压
VCESAT 集电极-发射极饱和电压
ICON 通态电极电流
VGEON 通态栅极电压
VF 二极管正向导通压降
整个测试过程自动完成,电脑软件携带数据库管理查询功能,可生成测试曲线,方便操作使用。数据提取:测试数据可存储
变频器用IGBT测试仪现货供应
测试参数:
ICES 集电极-发射极漏电流
IGESF 正向栅极漏电流
IGESR 反向栅极漏电流
BVCES 集电极-发射极击穿电压
VGETH 栅极-发射极阈值电压
VCESAT 集电极-发射极饱和电压
ICON 通态电极电流
VGEON 通态栅极电压
VF 二极管正向导通压降
整个测试过程自动完成,电脑软件携带数据库管理查询功能,可生成测试曲线,方便操作使用。数据提取:测试数据可存储为Excel文件及其他用户需要的任何数据格式,特别是动态测试波形可存储为数据格式。

5、感性负载
5.1 有效电感 L 100 200 500 1000 μH;
5.2 电流 Ic 1000 1000 1000 500 A;
外部电感成阵列的内部连接。(外部电感的H值传给PC,以计算电流源的极限,限制脉宽到1000us)。
6、标准的双控制极驱动
6.1 门极电阻可人工预先设定如:2.5Ω,5Ω,10Ω等;
6.2 开启(Trun-ON)输出电压 Vge+ : +15V;
6.3 关断(Trun-ON)输出电压 Vge- : -15V;
6.4 脉宽: 10 ~ 1000us (单脉冲、双脉冲总时间);
6.5 电压开关时间: < 50ns;
6.6 输出内阻: < 0.5Ω;

9)尖峰抑制电容
用于防止关断瞬态过程中的IGBT器件电压过冲。
电容容量 200μF
分布电感 小于10nH
脉冲电流 2kA
工作温度 室温~40℃
工作湿度 <70%
11)动态测试续流二极管
用于防止测试过程中的过电压。
反向电压 8000V(2只串联)
1开通:turnon(tdon,tr,di/dt,Ipeak,Eon,Pon)。-di/dt大于2000A/μs
通态电流 1200A
压降小于1V
浪涌电流大于20kA
反向恢复时间小于2μs
工作温度 室温~40℃
工作湿度 <70%
12)安全工作区测试续流二极管
反向电压 12kV(3只串联)
-di/dt 大于2000A/μS
通态电流 1200A
压降 小于1V
浪涌电流 大于20kA
反向恢复时间 小于2μS
工作温度 室温~40℃
工作湿度 <70%

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