传统金属封装材料及其局限性芯片材料如Si、GaAs以及陶瓷基板材料如A12O3、BeO、AIN等的热膨胀系数(CTE)介于3×10-6-7×10-6K-1之间。金属封装材料为实现对芯片支撑、电连接、热耗散、机械和环境的保护，应具备以下的要求：①与芯片或陶瓷基板匹配的低热膨胀系数,减少或避免热应力的产生；此外，为解决封装的散热问题，各类封装也大多使用金属作为热沉和散热片
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传统金属封装材料及其局限性芯片材料如Si、GaAs以及陶瓷基板材料如A12O3、BeO、AIN等的热膨胀系数(CTE)介于3×10-6-7×10-6K-1之间。金属封装材料为实现对芯片支撑、电连接、热耗散、机械和环境的保护，应具备以下的要求：①与芯片或陶瓷基板匹配的低热膨胀系数,减少或避免热应力的产生；此外，为解决封装的散热问题，各类封装也大多使用金属作为热沉和散热片。本文主要介绍在金属封装中使用和正在开发的金属材料，这些材料不仅包括金属封装的壳体或底座、引线使用的金属材料，也包括可用于各种封装的基板、热沉和散热片的金属材料。铝挤、DDG、粗铣内接着将铝合金板铣成手机机身需要的尺寸，方便CNC精密加工，接着是粗铣内腔，将内腔以及夹具定位的柱加工好，起到精密加工的固定作用。以便提升铜的退火点，能够在铜中添加小量Al2O3、锆、银、硅。
一种金属封装外壳及其制备工艺的制作方法
本发明公开了一种金属封装外壳，通过将现有技术中的塑料外壳的形状进行改变，以及对材料进行更换，采用铜作为外壳的材料，同时对外壳内部的引线由圆柱状结构改进为扁平状结构，使得外壳的内部空间增加，散热性能增强，解决了现有技术中封装外壳散热性能差的问题。本发明还提供了一种金属封装外壳的制备工艺，改进了现有工艺流程，通过该制备工艺制备的金属封装外壳具备更可靠的保护性能。这种材料已在金属封装中得到广泛使用，如美国Sinclair公司在功率器件的金属封装中使用Glidcop代替无氧高导铜作为底座。
电信号连接：外壳上的引线起到内外电信号的连接作用，完成内部电路与外围 电路的电信号传递。
屏蔽：外壳可起到电磁屏蔽的作用，保护内部电路不受外部信号的干扰，同时保 证内部电路产生的电磁信号不影响外部电路。对于大功率封装外壳来说，
散热：外壳将内部电路产生的热量传递至外部，避免内部电路的热失效。
4 μ m ;所述焊接的环境为高于99%的氮气环境，氧含量50ppm以下，所述焊接 的升温区间为570815°C，焊接的降温区间为815495°C，管座通过焊接温区的速度为 85mm/mi η 〇
所述引线采用如下方法制备：将导线依次用、碱性溶液、清水进行清洗并用酒精脱水，然后将脱水后的导线 进行退火，后对退火后的导线进行氧化处理，得到所述的引线。
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