通过对全厂所有排放风险源的密闭/封闭处理，做到全厂无漏点，严格控制挥发性有机物无组织排放。分类收集，分质处理光大焦化基于挥发性有机物无组织排放源清单，对全厂各槽罐中涉及放散、逸散的排放风险按照其废气成分，在保障安全的前提下遵循“分类收集、应收尽收”的原则全部接入废气处理处置系统，做到全厂无漏点、无排口。将冷鼓、灌区槽罐放散废气等未与空气混合的尾气收集后送返至煤气负压系统处理，进行废气净化再循环；将
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通过对全厂所有排放风险源的密闭/封闭处理，做到全厂无漏点，严格控制挥发性有机物无组织排放。分类收集，分质处理光大焦化基于挥发性有机物无组织排放源清单，对全厂各槽罐中涉及放散、逸散的排放风险按照其废气成分，在保障安全的前提下遵循“分类收集、应收尽收”的原则全部接入废气处理处置系统，做到全厂无漏点、无排口。将冷鼓、灌区槽罐放散废气等未与空气混合的尾气收集后送返至煤气负压系统处理，进行废气净化再循环；将硫铵、脱硫工段放散/逸散废气等与空气混合的尾气收集后送焦炉、干熄焦炉、锅炉等设施燃烧，燃烧后产生的颗粒物、 次数用完API KEY 超过次数限制
半导体行业作为高新技术产业往往被人误解为“清洁”产业，但事实上，半导体生产过程中使用了大量有机和无机物，这些部分通过挥发成为废气排放，对环境危害较为严重，如不加以控制，将会产生较大的环境污染。半导体工艺过程中有机废气具有排放风量大、浓度低和成分复杂的特点，使用其它的处理技术难以达到令人满意的处理效率。比较适用的是吸附——催化燃烧法，目些大型半导体企业已采用沸石转轮催化燃烧技术。沸石转轮催化燃烧设备大风量、低浓度的挥发性有机废气（VOCs）经效过滤器过滤后，进入沸石分子筛被吸附、 次数用完API KEY 超过次数限制
空气混合物达到燃点所需的低温度。表1列举了一些可燃气体/空气混合物的着火温度和着火浓度范围。当着火后,要使可燃组分完全氧化,必须维持一个低的氧含量(或空气量)。为避免不完全燃烧,在实际操作中,实际需要的空气量L始终大于低所需的空气量Lmin。根据不同的燃料和燃烧器形式,λ在1.1~1.4。燃烧温度,即燃烧室可能达到的温度,主要取决于气体进出燃烧室质量流所带的热焓、可燃物的燃烧热值以及燃烧室内外的传热过程,即通过辐射、热交换等的热量传递。热力燃烧温度一般在760~900℃,在特殊情况下可达1200℃(例如垃圾焚烧炉)。理论燃烧温度的求取如图1所示。 次数用完API KEY 超过次数限制
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