技术参数：晶向：<100>、<110>、<111>；晶体结构：赝立方；晶格常数：a=3.792A；生长方法：提拉法；熔点：2080℃ ；密度：6.52g/cm3；莫氏硬度：6.5 Mohs；热膨胀系数：10×10-6/℃；介电常数：25；损耗正切（10GHz)：～3×10-4@300K,～0.6×10-4@77K 。抛光情况：单抛或双抛 （&
铝酸镧晶体单晶
技术参数：晶向：<100>、<110>、<111>；晶体结构：赝立方；晶格常数：a=3.792A；生长方法：提拉法；熔点：2080℃ ；密度：6.52g/cm3；莫氏硬度：6.5 Mohs；热膨胀系数：10×10-6/℃；介电常数：25；损耗正切（10GHz)：～3×10-4@300K,～0.6×10-4@77K 。抛光情况：单抛或双抛 （<110> Ra<15A，<100>和<111> Ra<5A）。LaAlO3晶体是以定化学配比的La2O3和Al2O3为原料,在200℃下用提拉法生长的，然后经标准工艺切割和抛光,制成5×10mm2的LaAlO3晶片,晶向为[001]。
由于大尺寸 LaAlo3晶体生长后热应力和后期切割、研磨所产生的机械应力较大,加上晶棒的颜色较深。因此要消除上述因素,必须对晶体进行退火处理。因为LaAlO3单晶在微波渡段具有低的介电数和介电损耗,且对多种钙钛矿结构材料晶格匹配好,所以是外延生长高温超导薄膜和巨磁阻薄膜的极1好衬底材料,长期以来是作为一种衬底材料进行研究。
LaAlO3晶体有较低的介电损耗,与ZrO2、 SrTio3、蓝宝石等衬底材料相比,综合性能更为理想。
铝酸镧（LaAlO3）晶体对多种钙钛矿结构材料晶格匹配好，是外延生长高温超导薄膜和巨磁阻薄膜极1好的衬底材料，其介电性能适合于低损耗微波及介电共振方面的应用。铝酸镧晶体由于与超导、铁电、锰氧化物巨磁电阻等材料具有良好的晶格匹配性能,且界面层中原子不易和其他材料发生界面反应而被广泛地用作生长外延薄膜的衬底材料。
铝酸镧（LaAlO3）晶体对多种钙钛矿结构材料晶格匹配好，是外延生长高温超导薄膜和巨磁阻薄膜极1好的衬底材料，其介电性能适合于低损耗微波及介电共振方面的应用。因为LaAlO3单晶在微波渡段具有低的介电数和介电损耗,且对多种钙钛矿结构材料晶格匹配好,所以是外延生长高温超导薄膜和巨磁阻薄膜的极1好衬底材料,长期以来是作为一种衬底材料进行研究。
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