（1）化学气相沉积（CVD）反应温度一般在900~1200℃，中温CVD例如MOCVD（金属有机化合物化学气相沉积），反应温度在500~800℃。若通过气相反应的能量，还可把反应温度降低。
（2）常压化学气相沉积（NPCVD）或大气压下化学气相沉积（APCVD）是在0.01—0.1MPa压力下进行，低压化学气相沉积（LPCVD）则在10-4 MPa下进行。CV
金属真空镀膜设备
（1）化学气相沉积（CVD）反应温度一般在900~1200℃，中温CVD例如MOCVD（金属有机化合物化学气相沉积），反应温度在500~800℃。若通过气相反应的能量，还可把反应温度降低。
（2）常压化学气相沉积（NPCVD）或大气压下化学气相沉积（APCVD）是在0.01—0.1MPa压力下进行，低压化学气相沉积（LPCVD）则在10-4 MPa下进行。CVD或辉光放电CVD，是低压CVD的一种形式，其优点是可以在较低的基材温度下获得所希望的膜层性能。
化学气相沉积工艺是这样一种沉积工艺，被沉积物体和沉积元素（单元或多元）蒸发化合物置于反应室，当高温气流进入反应室时，可控制的反应室可使其发生一种合适的化学反应，导致被沉积物体的表面形成一种膜层，同时将反应产物及多余物从反应室蒸发排除。
化学气相沉积（简称CVD），也即化学气相镀或热化学镀或热解镀或燃气镀，属于一种薄膜技术。常见的化学气相沉积工艺包括常压化学气相沉积（NPCVD），低压化学气相沉积（LPCVD），大气压下化学气相沉积（APCVD）。
一个真正的单层，即石墨烯薄膜覆盖在铜箔上。改进了化学气相沉积(CVD)生长方法，消除了石墨烯生长在铜箔上的所有碳杂质。这种均匀“”的单层单晶石墨烯有望被用作超高分辨率透射电镜成像和光学设备的超薄支撑材料。也可作为一种合适的石墨烯，以实现非常均匀的功能化，这将促使推动许多其他应用，特别是用于各种类型的传感器。
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