氧化锌（ZnO）单晶已被应用于表面声波(SAW)器件、气敏元件、压电元件、透明导 电体、压敏电阻等众多方面。作为氧化锌单晶的培养方法，已知有利用水热合成法的培养方法。水热合成法是 在高温高压的原料水溶液中培养晶体的方法，是利用由温差引起的过饱和度使晶体在晶种 上析出的方法。氧化锌（ZnO）晶体有三种结构∶六边纤锌矿结构、立方闪鋅矿结构,以及比较罕见的氯化钠式八面体结构。
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氧化锌（ZnO）单晶已被应用于表面声波(SAW)器件、气敏元件、压电元件、透明导 电体、压敏电阻等众多方面。作为氧化锌单晶的培养方法，已知有利用水热合成法的培养方法。水热合成法是 在高温高压的原料水溶液中培养晶体的方法，是利用由温差引起的过饱和度使晶体在晶种 上析出的方法。氧化锌（ZnO）晶体有三种结构∶六边纤锌矿结构、立方闪鋅矿结构,以及比较罕见的氯化钠式八面体结构。
氧化锌（ZnO）晶体随着环境条件的改变形成不同结构的晶体。ZnO晶体中的化学键既有离子键的成分,又有共价键的成分,两种成分的含量差不多,因而使得ZnO晶体中的化学键没有离子晶体那么强,导致其在一定的外界条件下更容易发生晶体结构上的改变。氧化锌（ZnO）单晶是具有六方晶系纤锌矿型化合物的晶体结构的半导体，其可直接跃 迁，禁带宽度(Eg 3. 37eV)大。此外，与其它半导体材料(GaN :21meV、ZnSe :20meV)相比， 其激子结合能(ZnO :60meV)非常大，因此，可期待将其用作的发光器件材料。
氧化锌(ZnO) 是很好的GaN薄膜衬底材料，具有60mev的激子束缚能以及室温下3.73ev带宽使之成为紫外以及可见光发光材料．同时由于具有可见区透明，机电耦合系数大，能使气体分子在其表面的吸附－解析等性质,有望在高峰值能量的能量限制器、大直径高质量的GaN的衬底、未来的5GHz之外的无线通信、高电场设备、高温高能电子器件、高电场设备、高温高能电子器件等方面得到广泛应用。
ZnO是一种典型的宽带隙半导体材料,高质量ZnO晶体的生长具有非常重要的研究意义.目前,ZnO晶体的生长方法主要有气相法,水热法和助熔剂法.以MOH(KOH,NaOH,LiOH或其组合)+H2O为助熔剂的方法简称碱液法,晶体的生长温度在480℃左右。我们以KOH+LiOH+H2O为助熔剂,利用自发成核法不仅在480℃左右生长出了ZnO晶体,而且还在400℃以下生长出了无色透明的体块晶体,经XRD检测晶体为纤维锌矿ZnO
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