若将反应气体导入蒸发空间，便可在工件表面沉积金属化合物涂层，这就是反应性离子镀。由于采用等离子活化，工件只需在较低温度甚至在室温下进行镀膜，完全保证零件的尺寸精度和表面粗糙度，因此，可以安排在工件淬火、回火后即后一道工序进行。如沉积TiN或TiC时，基体温度可以在150-600℃范围内选择，温度高时涂层的硬度高，与基体的结合力也高。基体温度可根据基体材料及其回火温度选择，如基体
金属真空镀膜设备
若将反应气体导入蒸发空间，便可在工件表面沉积金属化合物涂层，这就是反应性离子镀。由于采用等离子活化，工件只需在较低温度甚至在室温下进行镀膜，完全保证零件的尺寸精度和表面粗糙度，因此，可以安排在工件淬火、回火后即后一道工序进行。如沉积TiN或TiC时，基体温度可以在150-600℃范围内选择，温度高时涂层的硬度高，与基体的结合力也高。基体温度可根据基体材料及其回火温度选择，如基体为高速钢，可选择560℃，这样，对于经淬火、回火并加工到尺寸的模具加工，无需担心基体硬度降低及变形问题。另外，离子镀的沉积速度较其他气相沉积方法快，得到10mm厚的TiC或TiN涂层，一般只需要几十分钟。
在真空度较高的环境下，通过加热或高能粒子轰击的方法使源材料以原子、分子或离子的形式逸出沉积物粒子，并且逸出的粒子在基片上沉积形成薄膜的技术。.PVD大家族里主要有三位成员：真空蒸发沉积技术（蒸镀）；溅射沉积技术；离化PVD技术。
蒸镀是在真空环境下，以各种加热方式赋予待蒸发源材料以热量，使源材料物质获得所需的蒸汽压而实现蒸发，所发射的气相蒸发物质在具有适当温度的基片上不断沉积而形成薄膜的沉积技术。
总之，化学气相沉积就是，利用气态物质在固体表面上进行化学反应，生成固态沉积物的过程。其过程如下：
（1）反应气体向工件表面扩散并吸附。
（2）吸附于工件表面的各种物质发生表面化学反应。
（3）生成物质点聚集成晶核并长大。
（4）表面化学反应中产生的气体产物脱离工件表面返回气相。
（5）沉积层与基体的界面发生元素的相互扩散，而形成镀层。
CVD法是，将工件置于有氢气保护的炉内，加热到800℃以上高温，向炉内通入反应气体，使之在炉内热解，化合成新的化合物沉积在工件表面。在模具的应用中，其覆膜厚度一般为6-10μm。
一个真正的单层，即石墨烯薄膜覆盖在铜箔上。改进了化学气相沉积(CVD)生长方法，消除了石墨烯生长在铜箔上的所有碳杂质。这种均匀“”的单层单晶石墨烯有望被用作超高分辨率透射电镜成像和光学设备的超薄支撑材料。也可作为一种合适的石墨烯，以实现非常均匀的功能化，这将促使推动许多其他应用，特别是用于各种类型的传感器。
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