晶圆级封装实验
很多实验研究发现，钝化层或底层、湿气渗透和/或裸片边缘离层是晶圆级封装常见的热机械失效模式。此外，裸片边缘是一个特别敏感的区域，我们必须给予更多的关注。事实上，扇入型封装裸片是暴露于空气中的（裸片周围没有模压复合物覆盖），容易被化学物质污染或发生现象。所涉及的原因很多，例如晶圆切割工序未经优化，密封环结构缺陷(密封环是指裸片四周的金属花纹，起到机械和化学防护作用
半导体封装测试公司
晶圆级封装实验
很多实验研究发现，钝化层或底层、湿气渗透和/或裸片边缘离层是晶圆级封装常见的热机械失效模式。此外，裸片边缘是一个特别敏感的区域，我们必须给予更多的关注。事实上，扇入型封装裸片是暴露于空气中的（裸片周围没有模压复合物覆盖），容易被化学物质污染或发生现象。所涉及的原因很多，例如晶圆切割工序未经优化，密封环结构缺陷(密封环是指裸片四周的金属花纹，起到机械和化学防护作用)。此外，由于焊球非常靠近钝化层，焊球工序与线路后端栈可能会相互影响。
晶圆级封装分类：
晶圆级封装方案是直接将裸片直接焊接在主板上，晶圆级封装主要分为扇入型封装和扇出型封装两种。扇入型封装是在晶圆片未切割前完成封装工序，即先封装后切割。因此，裸片封装后与裸片本身的尺寸相同。扇出型封装是先在人造模压晶圆片上重构每颗裸片，“新”晶圆片是加工RDL布线层的基板，然后按照普通扇入型晶圆级封装后工序，完成后的封装流程。
扇入和扇出型封装流程
这里需要说明的是，为提高晶圆级封装的可靠性，目前存在多种焊球装配工艺，其中包括氮化物层上焊球、聚合物层上焊球、铜柱晶圆级封装等等。重点是RDL层/聚合物层上用UBM层装配焊球的方法。扇入型标准封装裸片是直接暴露于空气中(裸片周围无模压复合物)，人们担心这种封装非常容易受到外部风险的影响。优化晶片切割工艺是降低失效风险的首要措施。
（作者： 来源：）
