20kHz的碳化硅MOSFET模块的损耗可以比3kHz的硅IGBT模块低一半，50A的碳化硅模块就可以替换150A的硅模块。显示了碳化硅MOSFET在工作频率和效率上的巨大优势。
20kHz的碳化硅MOSFET模块的损耗可以比3kHz的硅IGBT模块低一半，50A的碳化硅模块就可以替换150A的硅模块。显示了碳化硅MOSFET在工作频率和效率上的巨大优势。
碳化硅MOSFET寄生体二极管具有**的反向恢复时间trr和反向恢复电荷Qrr。如图所示，同一额定电流900V的器件，碳化硅MOSFET寄生二极管反向电荷只有同等电压规格硅基MOSFET的5%。对于桥式电路来说（特别当LLC变换器工作在高于谐振频率的时候），这个指标非常关键，它可以减小死区时间以及体二极管的反向恢复带来的损耗和噪音，便于提高开关工作频率。
（作者：崔经理 来源：山东龙元材料有限公司）
