金属表面处理密度大也使Cu／W具有对空间辐射总剂量(TID)环境的优良屏蔽作用，因为要获得同样的屏蔽作用，使用的铝厚度需要是Cu／W的16倍。新型的金属封装材料及其应用除了Cu／W及Cu／Mo以外，传统金属封装材料都是单一金属或合金，它们都有某些不足，难以应对现代封装的发展。金属封装外壳此外密度较大，不适合航空、航天用途。1．3 钢10号钢热导率为49．8 W(m-1K
镀金金属表面处理
金属表面处理密度大也使Cu／W具有对空间辐射总剂量(TID)环境的优良屏蔽作用，因为要获得同样的屏蔽作用，使用的铝厚度需要是Cu／W的16倍。新型的金属封装材料及其应用除了Cu／W及Cu／Mo以外，传统金属封装材料都是单一金属或合金，它们都有某些不足，难以应对现代封装的发展。金属封装外壳此外密度较大，不适合航空、航天用途。1．3 钢10号钢热导率为49．8 W(m-1K-1)，大约是可伐合金的三倍，它的CTE为12．6×10-6K-1，与陶瓷和半导体的CTE失配，可与软玻璃实现压缩封接。材料工作者在这些材料基础上研究和开发了很多种金属基复合材料(MMC)，它们是以金属(如Mg、Al、Cu、Ti)或金属间化合物(如TiAl、NiAl)为基体，以颗粒、晶须、短纤维或连续纤维为增强体的一种复合材料。不锈钢主要使用在需要耐腐蚀的气密封装里，不锈钢的热导率较低，如430不锈钢(Fe-18Cr，牌号4J18)热导率仅为26．1 W(m-1K-1)。铜、铝纯铜也称之为无氧高导铜(OFHC)，电阻率1．72μΩ·cm，仅次于银。它的热导率为401W(m-1K-1)，从传热的角度看，作为封装壳体是非常理想的，可以使用在需要高热导和／或高电导的封装里，然而，它的CTE高达16．5×10-6K-1，可以在刚性粘接的陶瓷基板上造成很大的热应力。
金属表面处理及其局限性芯片材料如Si、GaAs以及陶瓷基板材料如A12O3、BeO、AIN等的热膨胀系数(CTE)介于3×10-6-7×10-6K-1之间。金属封装材料为实现对芯片支撑、电连接、热耗散、机械和环境的保护，应具备以下的要求：①与芯片或陶瓷基板匹配的低热膨胀系数,减少或避免热应力的产生；国内外都有Al2O3弥散强化无氧高导铜产品，如美国SCM金属制品公司的Glidcop含有99．7％的铜和0．3％弥散分布的Al2O3。加入Al2O3后，热导率稍有减少，为365W(m-1K-1)，电阻率略有增加，为1．85μΩ·cm，但屈服强度得到明显增加。金属表面处理解决多种形式、生产加工灵便，能够和一些构件(如混和集成化的A／D或D／A转化器)结合为一体，合适于低I／O数的单芯片和多集成ic的主要用途，也合适于频射、微波加热、光学、声表面波和大功率器件，能够考虑批量生产、销售电价的规定。可伐可伐合金(Fe-29Ni-17Co，牌号4J29)的CTE与Si、GaAs以及Al2O3、BeO、AIN的CTE较为接近，具有良好的焊接性、加工性，能与硼硅硬玻璃匹配封接，在低功率密度的金属封装中得到广泛的使用。但由于其热导率低，电阻率高，密度也较大，使其广泛应用受到了很大限制。
金属表面处理解决能够根据改变提高体的类型、体积分数、排序方法或改变常规铝合金，改变材料的热工艺性能，考虑封装热失配的规定，乃至简单化封装的设计方案;②材料生产制造灵便，价钱持续减少，非常是可立即成型，防止了价格昂贵的生产加工花费和生产加工导致的材料耗损；已普遍生产制造并且用在功率大的微波加热管、大功率激光二极管和一些功率大的集成电路芯片控制模块上。因为Cu-Mo和Cu-W中间不混溶或浸润性偏差，更何况二者的溶点相距挺大，给材料制取产生了一些难题；假如制取的Cu／W及Cu／Mo高密度水平不高，则密封性无法得到确保，危害封装特性。另一个缺陷是因为W的百分之成分高而造成 Cu／W相对密度很大，提升了封装净重。除此之外，为处理封装的热管散热难题，各种封装也大多数应用金属材料做为热沉和散热器。传统金属封装材料包括Al、Cu、Mo、W、钢、可伐合金以及Cu／W和Cu／Mo等国内外已广泛生产并用在大功率微波管、大功率激光二极管和一些大功率集成电路模块上。文中关键详细介绍在金属封装中应用和已经开发设计的金属材料，这种材料不但包含金属封装的罩壳或基座、导线应用的金属材料，也包含可用以各种各样封装的基钢板、热沉和散热器的金属材料。
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