蚀刻：蚀刻(etching)是将材料使用bai化学反应或物理du撞击作用而移除的技术。蚀刻的原理zhi是氧化还原反应中的置换dao反应：2AgNo3+Cu=Cu(No3)*2+2Ag。利用蚀刻液与铜层反应,蚀去线路板上不需要的铜,得到所要求的线路。蚀刻技术可以分为湿蚀刻(wet etching)和干蚀刻(dry etching)两类。
显影：显影是在印刷、影印、复印、晒图等行业中，让影像
铭牌曝光显影工厂
蚀刻：蚀刻(etching)是将材料使用bai化学反应或物理du撞击作用而移除的技术。蚀刻的原理zhi是氧化还原反应中的置换dao反应：2AgNo3+Cu=Cu(No3)*2+2Ag。利用蚀刻液与铜层反应,蚀去线路板上不需要的铜,得到所要求的线路。蚀刻技术可以分为湿蚀刻(wet etching)和干蚀刻(dry etching)两类。
显影：显影是在印刷、影印、复印、晒图等行业中，让影像显现的一个过程。通过碱液作用，将未发生光聚合反应之感光材料部分冲掉。显影包括正显影和反转显影。
可以这样认为：光圈（值）大小其实就是那个小圆窗户开多大，快门（速度）就是窗户打开多久。假设窗户只打开1/4，时间为4秒钟可以正确曝光的话，很显然，窗户打开一半，时间2秒钟也能让底片正确曝光，因为1/4*4=1/2*2=1，进光量都是一样多。同样的，如果窗户全开，曝光时间就只需要1秒了。 假若一个镜头光圈全开为F4，用摄影行话来说，光圈F4快门速度1秒为正确曝光值，那F5.6和2秒以及F8和4秒也同样能得到准确曝光的图片。 重要结论：一张正确曝光的图片可以有N种不同的光圈和快门速度组合。
特别南方地区夏季气温偏高，从长期的实践中摸索一套较好的温度控制参数，在20-250C情况下，相对湿度75％以上时，贴膜温度730C较好；相对湿度为60-70％时，贴膜温度70-800C较好；曝光时间过长或曝光不足：在紫外光照射下，吸收了光能量的光引发剂分解成游离基引发单体进行光聚合反应，形成不溶于稀碱的溶液的体型分子。要使每种干膜聚合效果比较好，就必须有一个好的曝光量。
在对实际景物拍摄时，胶片曝光量多的部位，形成的金属银多，致黑程度大，影像密度高；曝光量少的部位，形成的金属银少，致黑程度小，影像密度低。得到的影像与实际景物的明暗程度相反，即得到负像。(1). 在暗室中全黑的条件下，将已经拍摄好的胶卷从暗盒中取出，缠绕在显影罐的片盘上，然后盖上显影罐的盖子；
(2). 向显影罐连续注入D-76 显影液，直到全部注满为止，然后不断摇动显影罐进行搅
拌，在规定时间完成显影；
(3). 倒出显影液，用清水冲洗30 秒，然后注入柯达F-5 酸性定影液，搅拌10 分钟，完
成定影；
(4). 倒出定影液，取出冲洗加工好的胶卷，用清水冲洗干净，凉干。
（作者： 来源：）
