脉冲激光沉积简介
随着现代科学和技术的发展,薄膜科学已成为近年来迅速发展的学科领域之一,是凝聚态物理学和材料科学的一个重要研究领域。功能薄膜是薄膜研究的主要方面,它不仅具有丰富的物理内涵,而且在微电子、光电子、超导材料等领域具有十分广泛的应用。随着辅助设备和工艺的进一步优化,将在半导体薄膜、超晶格、超导、生物涂层等功能薄膜的制备方面发挥重要的作用。长期以来,人们发明了多种
激光脉冲沉积装置公司
脉冲激光沉积简介
随着现代科学和技术的发展,薄膜科学已成为近年来迅速发展的学科领域之一,是凝聚态物理学和材料科学的一个重要研究领域。功能薄膜是薄膜研究的主要方面,它不仅具有丰富的物理内涵,而且在微电子、光电子、超导材料等领域具有十分广泛的应用。随着辅助设备和工艺的进一步优化,将在半导体薄膜、超晶格、超导、生物涂层等功能薄膜的制备方面发挥重要的作用。长期以来,人们发明了多种制膜技术和方法:真空蒸发沉积、离子束溅射、磁控溅射沉积、分子束外延、金属有机化学气相沉积、溶胶- 凝胶法等。上述方法各有特点,并在一些领域得到应用。但由于其各有局限性,仍然不能满足薄膜研究的发展及多种薄膜制备的需要。随着激光技术和设备的发展,特别是高功率脉冲激光技术的发展,脉冲激光沉积(PLD)技术的特点逐渐被人们认识和接受
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脉冲激光沉积
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在一阶段,激光束聚焦在靶的表面。达到足够的高能量通量与短脉冲宽度时,靶表面的一切元素会受热,到达蒸发温度。PLD是近年来发展起来的一种真空物理沉积工艺,具有衬底温度较低,而且采用光学系统、非接触加热和避免不必要的玷污等特点。物质会从靶中分离出来,而蒸发出来的物质的成分与靶的化学计量相同。物质的瞬时熔化率大大取决于激光照射到靶上的流量。熔化机制涉及许多复杂的物理现象,例如碰撞、热,与电子的激发、层离,以及流体力学。
在第二阶段,根据气体动力学定律,发射出来的物质有移向基片的倾向,并出现向前散射峰化现象。空间厚度随函数cosnθ而变化,而n>>1。【设备优点】设备全程采用一键式操作抽气,关机,程序自动化定时操作。激光光斑的面积与等离子的温度,对沉积膜是否均匀有重要的影响。靶与基片的距离是另一个因素,支配熔化物质的角度范围。亦发现,将一块障板放近基片会缩小角度范围。
第三阶段是决定薄膜质量的关键。放出的高能核素碰击基片表面,可能对基片造成各种破坏。如果定义峰值功率为脉冲的能量除以脉冲的持续时间(脉宽),那么,在撤除人为加入的损耗情况下,就会在很短的时间内以极快的速度产生脉冲宽度窄、峰值功率高的脉冲激光,通常称为巨脉冲。高能核素溅射表面的部分原子,而在入射流与受溅射原子之间,建立了一个碰撞区。膜在这个热能区(碰撞区)形成后立即生成,这个区域正好成为凝结粒子的较佳场所。只要凝结率比受溅射粒子的释放率高,热平衡状况便能够达到,由於熔化粒子流减弱,膜便能在基片表面生成。
脉冲激光沉积选件介绍
激光分子束外延(Laser MBE )
激光MBE 是普遍采用的术语,该法是一种纳米尺度薄膜合成的理想方法,高真空下的PLD 与在线工艺监测的反射高能电子衍射(RHEED)的联合应用,用户提供了类似于MBE 的薄膜生长的单分子水平控制。
正确的设计是成功使用RHEED 和PLD 的重要因数
RHEED 通常在高真空(<10-6 torr)环境下使用。然而,因为在某些特殊情况下,PLD 采用较高的压力,差动抽气是必要的,
维持RHEED 枪的工作压力,同时保持500 mTorr 的PLD 工艺压力。同时,设计完整的系统消除磁场对电子束的影响是至关重要的。Neocera 的激光MBE 系统可以为用户提供在压力达到500 mTorr 时所需的单分子层控制。
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脉冲激光沉积系统的配置介绍
沈阳鹏程真空技术有限责任公司生产、销售脉冲激光沉积,我们为您分析该产品的以下信息。
1.靶: 数量6个,大小1-2英寸,被激光照射时可自动旋转,靶的选择可通过步进电机控制;
2.基板:采用适合于氧气环境铂金加热片,大小2英寸,加热温度可达1200摄氏度,温度差<3%,加热时基板可旋转,工作环境的压力可达300mtorr;
3.基板加热电源,高到1200度;
4.超高真空成膜室腔体:不锈钢sus304材质,内表面电解抛光,本底真空度<5e-8 pa;
5.样品搬运室:不锈钢sus304材质,内表面电解抛光,本底真空度<5e-5 pa;
6.排气系统:分子泵和干式机械泵;
7.阀门: 采用超高真空挡板阀;
8.真空检测:真空计;
9.气路两套: 采用气体流量计控制;
10.薄膜生长监控系统: 采用扫描型差分RHEED;