大功率半导体器件为何有老化的问题？ 任何产品都有设计使用寿命，同一种产品不同的使用环境和是否得到相应的维护，延长产品使用寿命和设备良好运行具有极为重要。5雪崩技术条件
1、Vce：50～500V±3%±5V500～1000V±3%±5V
2、Ic：1A～50A
1A～9。功率元件由于经常有大电流往复的冲击，对半导体结构均具有一定的耗损性及破坏性，若其工作状况又经常在其安全工作区的边缘，更会加
变频器用IGBT测试仪现货供应
大功率半导体器件为何有老化的问题？
任何产品都有设计使用寿命，同一种产品不同的使用环境和是否得到相应的维护，延长产品使用寿命和设备良好运行具有极为重要。5雪崩技术条件
1、Vce：50～500V±3%±5V500～1000V±3%±5V
2、Ic：1A～50A
1A～9。功率元件由于经常有大电流往复的冲击，对半导体结构均具有一定的耗损性及破坏性，若其工作状况又经常在其安全工作区的边缘，更会加速元件的老化程度，故元件老化，就如人的老化一样是不可避免的问题。
技术要求
3.1整体技术指标
3.1.1 功能与测试对象
*1）功能
GBT模块动态参数测试。
*2）测试对象
被测器件IGBT模块动态参数。测试温度范围 Tj=25°及125°。
3.1.2 IGBT模块动态测试参数及指标
测试单元对IGBT模块和FRD的动态参数及其他参数的定义满足IEC60747-9以及IEC60747-2。
以下参数的测试可以在不同的电压等级、电流等级、温度、机械压力、回路寄生电感以及不同的驱动回路参数下进行。
用于安装固定试验回路及单元；主要技术参数要求如下；
风冷系统；
可显示主要电气回路参数及传感器测量值；
可直观监视试验过程，并可兼容高温摄像头；
防护等级：IP40。
面板按钮可以进行紧急操作
机柜颜色：RAL7035
17）压接夹具及其配套系统
工作压力范围：5～200kN；分辨率0.1kN
上下极板不平行度小于20μm
极板平整度小于10μm
压力可连续调节，施加压力平稳，不可出现加压时压力过冲
安全技术要求：满足GB 19517—2009电气设备安全技术规范；
测试工作电压：10kV（整体设备满足GB 19517—2009标准外，局部绝缘电压应满足测试需求）
18）其他辅件
9）尖峰抑制电容
用于防止关断瞬态过程中的IGBT器件电压过冲。
电容容量 200μF
分布电感 小于10nH
脉冲电流 2kA
工作温度 室温～40℃
工作湿度 <70%
11）动态测试续流二极管
用于防止测试过程中的过电压。
反向电压 8000V(2只串联)
-di/dt大于2000A/μs
否则，需按买方提出的修改意见重新制定出厂试验方案，直至买方评估合格。通态电流 1200A
压降小于1V
浪涌电流大于20kA
反向恢复时间小于2μs
工作温度 室温～40℃
工作湿度 <70%
12）安全工作区测试续流二极管
反向电压 12kV(3只串联)
-di/dt 大于2000A/μS
通态电流 1200A
压降 小于1V
浪涌电流 大于20kA
反向恢复时间 小于2μS
工作温度 室温～40℃
工作湿度 <70%
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