现今Power MOSFET(金属氧化物场效晶体管)及IGBT（绝缘栅型场效应晶体管）已成为大功率元件的主流，在市场上居于主导地位。由于科技进步，电力电子装置对轻薄短小及之要求 ,带动MOSFET及IGBT的发展，尤其应用于电气设备、光电、航天、铁路、电力转换.从检测部分传输的数据经上位机处理后可自动列表显示相应测试数据。...等领域，使半导体开发技术人员在市场需求下，对大功率元件的发展技术，持续
高铁IGBT测试仪加工
现今Power MOSFET(金属氧化物场效晶体管)及IGBT（绝缘栅型场效应晶体管）已成为大功率元件的主流，在市场上居于主导地位。由于科技进步，电力电子装置对轻薄短小及之要求 ,带动MOSFET及IGBT的发展，尤其应用于电气设备、光电、航天、铁路、电力转换.从检测部分传输的数据经上位机处理后可自动列表显示相应测试数据。...等领域，使半导体开发技术人员在市场需求下，对大功率元件的发展技术，持续在突破。
9、系统保护功能
9.1 有完备的安全控制单元，动态测试设备有传感器来保证操作者安全，设备任何门被打开均能切断高压电源。
9.2 有急停按钮，当急停按钮被按下时，迅速切断所有高压电源。
9.3 系统带有短路保护功能，在过载时迅速断开高压高电流。
9.4 操作系统带有多级权限。
9.5 系统应配有内置ups，保证计算机系统在电网短时间掉电情况下，为系统供电0.5小时以上，确保系统及数据安全。
10、样品夹具
10.1 有通用测试夹具。
10.2 带有62mm封装测试夹具
10.3 带有EconoPACK3封装测试夹具
10.4 带有34mm封装测试夹具
3）IGBT饱和压降/FRD正向导通压降测试电路
通态压降测试电路
高压充电电源：10~1500V连续可调
支撑电容：额定电压2kV
饱和通态压降电压探头精度要求：0.1～10V±3%±0.01V
栅极电压输出要求：5～25V±1%±0.01V
01V
IF： 0-1200A±2%±1A
Vge： 0V。集电极电流测试设备精度： 200～500A±3%±1A；500～1000A±2%±2A
测试脉冲宽度：0.1~1ms可设定
4）栅极漏电流测试电路
栅极漏电流测试电路
可调电源：±1Ｖ～±40V±2%±0.1V；
小电流测量设备精度：0.01～10μA±2%±0.005μA
栅极电压Vge：±1Ｖ～40V±1%±0.1V；
脉冲时间：40~100ms可设定
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