脉冲激光沉积(PLD)简介
随着新型氧化物/氮化物的研究和发展，用于沉积它们的外延生长设备：脉冲激光沉积(PLD)和由其衍生的生长技术也越来越受到科研工作者的重视和青睐。PLD是近年来发展起来的一种真空物理沉积工艺，具有衬底温度较低，而且采用光学系统、非接触加热和避免不必要的玷污等特点。PLD还有一个很大的优点，即能够通入较高的氧分压(1 ~ 50 mTorr)，特别适于
脉冲激光沉积装置报价
脉冲激光沉积(PLD)简介
随着新型氧化物/氮化物的研究和发展，用于沉积它们的外延生长设备：脉冲激光沉积(PLD)和由其衍生的生长技术也越来越受到科研工作者的重视和青睐。PLD是近年来发展起来的一种真空物理沉积工艺，具有衬底温度较低，而且采用光学系统、非接触加热和避免不必要的玷污等特点。PLD还有一个很大的优点，即能够通入较高的氧分压(1 ~ 50 mTorr)，特别适于氧化物的生长。但是PLD方法无法准确控制膜厚，不可能制备原子层尺度的超薄型薄膜和超晶格材料。
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脉冲激光沉积系统特点及优势：
可根据客户需求定制产品，灵活性高，并提供的技术支持；靶台多可以安装6个靶位，靶材更换灵活；样品台样品尺寸从10x10mm样品到2英寸样品均适用；进样室可以存储多个靶和样品；交易过程无需繁琐的进、出关手续, 交货期短，；
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脉冲激光镀膜系统
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