（1）化学气相沉积（CVD）反应温度一般在900~1200℃，中温CVD例如MOCVD（金属有机化合物化学气相沉积），反应温度在500~800℃。若通过气相反应的能量，还可把反应温度降低。
（2）常压化学气相沉积（NPCVD）或大气压下化学气相沉积（APCVD）是在0.01—0.1MPa压力下进行，低压化学气相沉积（LPCVD）则在10-4 MPa下进行。CV
光学真空镀膜设备
（1）化学气相沉积（CVD）反应温度一般在900~1200℃，中温CVD例如MOCVD（金属有机化合物化学气相沉积），反应温度在500~800℃。若通过气相反应的能量，还可把反应温度降低。
（2）常压化学气相沉积（NPCVD）或大气压下化学气相沉积（APCVD）是在0.01—0.1MPa压力下进行，低压化学气相沉积（LPCVD）则在10-4 MPa下进行。CVD或辉光放电CVD，是低压CVD的一种形式，其优点是可以在较低的基材温度下获得所希望的膜层性能。
人们把等离子体、离子束引入到传统的物理气相沉积技术的蒸发和溅射中，参与其镀膜过程，同时通入反应气体，也可以在固体表面进行化学反应，生成新的合成产物固体相薄膜，称其为反应镀。
在溅射钛(Ti)等离子体中通入反应气体N2后合成TiN就是一例。
这就是说物理气相沉积也可以包含有化学反应。又如，在反应室内通入，借助于w靶阴极电弧放电，在Ar，W等离子体作用下使分解，并在固体表面实现碳键重组，生成掺W的类金刚石碳减摩膜，人们习惯上把这种沉积过程仍归入化学气相沉积，但这是在典型的物理气相沉积技术——金属阴极电弧离子镀中实现的。
PVD技术出现于，制备的薄膜具有高硬度、低摩擦系数、很好的性和化学稳定性等优点。在高速具领域的成功应用引起了制造业的高度重视，人们在开发、高可靠性涂层设备的同时，也在硬质合金、陶瓷类刀具中进行了更加深入的涂层应用研究。
与CVD工艺相比，PVD工艺处理温度低，在600℃以下时对刀具材料的抗弯强度无影响；薄膜内部应力状态为压应力，更适于对硬质合金精密复杂刀具的涂层；PVD工艺对环境无不利影响，符合现代绿色制造的发展方向。
直流等离子体化学气相沉积（DC-PCVD）
DC-PCVD是利用高压直流负偏压（-1～-5kV），使低压反应气体发生辉光放电产生等离子体，等离子体在电场作用下轰击工件，并在工件表面沉积成膜。
直流等离子体比较简单，工件处于阴极电位，受其外形、大小的影响，使电场分布不均匀，在阴极四周压降，电场强度，正由于有这一特点，所以化学反应也集中在阴极工件表面，加强了沉积效率，避免了反应物质在器壁上的消耗。缺点是不导电的基体或薄膜不能应用。由于阴极上电荷的积累会排斥进一步的沉积，并会造成积累放电，破坏正常的反应。
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