铝酸镧抛光情况：单抛或双抛 （<110> Ra<15A，<100>和<111> Ra<5A）。铝酸镧具有大的禁带宽度(5-6eV),高的介电常数值(~25)和很好的热稳定性使其成为替代Si基1金属-氧化物-半导体场效应晶体管中SiO2的zui佳替代材料。LaAlo3晶体的颜色
LaAlO3晶体基片价格
铝酸镧抛光情况：单抛或双抛 （<110> Ra<15A，<100>和<111> Ra<5A）。铝酸镧具有大的禁带宽度(5-6eV),高的介电常数值(~25)和很好的热稳定性使其成为替代Si基1金属-氧化物-半导体场效应晶体管中SiO2的zui佳替代材料。LaAlo3晶体的颜色与原料的纯度有着直接关系。若采用纯度≤99.9%原料或在生长过程中原料被污染,长出的晶体颜色较深,甚至是茶色。但采用高纯原料≥99.999%料时,长出的晶体呈浅黄色,且在真空气氛下退火,颜色更淡,近似白色。
铝酸镧（LaAlO3）晶体因其与超导、铁电、Mn氧化物巨磁电阻薄膜等有良好的晶格匹配性能,是外延生长高温超导薄膜和巨磁阻薄膜极1好的衬底材料，其介电性能适合于低损耗微波及介电共振方面的应用。铝酸镧（LaAlO3）晶体是以定化学配比的La2O3和Al2O3为原料,在200℃下用提拉法生长的，然后经标准工艺切割和抛光,制成5×10mm2的铝酸镧（LaAlO3）晶片,晶向为[001]。
铝酸镧（LaAlO3）晶体的着色主要是原料中的杂质所致,因此,我们在选择原料时采用高纯原料。另外剩余料要限制使用次数,且时刻注意避免原料的污染。铝酸镧（LaAlO3）晶体介电常数和介电损耗随测量频率的变化，在1kHz~500MHz的频率范围内,测量温度为20°C,随频率的增加介电常数略有降低，介电损耗在整个测量频率范围内小于1ˇ10-3,说明LaAlO3晶体的高频性能较好。
铝酸镧（LaAlO3）晶体在常温下为三角晶系,其折射率椭球为旋转椭球。铝酸镧（LaAlO3）晶体的着色主要是原料中的杂质所致,因此,我们在选择原料时采用高纯原料。另外剩余料要限制使用次数,且时刻注意避免原料的污染。铝酸镧（LaAlO3）晶体对多种钙钛矿结构材料晶格匹配好，是外延生长高温超导薄膜和巨磁阻薄膜极1好的衬底材料，其介电性能适合于低损耗微波及介电共振方面的应用。
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