如何执行导通参数与漏电流的量测？测试条件中待输入的数字，必须依照元件生产厂所提供的规格来输入，而测量结果，亦必须在其所规定的限额内，否则，便为不良品。大功率I g b t模块测试系统简介我公司所设计生产的半导体元件自动测试系统具备下列测试能力：☆可单机独立操作，测试范围达2000V及50A。☆外接大电流扩展装置，检测范围可扩展1600A。主要参数 测试范围 精度要求 测试条件Vce集射极电压 1
检修用IGBT测试仪现货供应
如何执行导通参数与漏电流的量测？
测试条件中待输入的数字，必须依照元件生产厂所提供的规格来输入，而测量结果，亦必须在其所规定的限额内，否则，便为不良品。
大功率I g b t模块测试系统简介
我公司所设计生产的半导体元件自动测试系统具备下列测试能力：
☆可单机独立操作，测试范围达2000V及50A。
☆外接大电流扩展装置，检测范围可扩展1600A。
主要参数 测试范围 精度要求 测试条件
Vce
集射极电压 150～3300V 150～500V±3%±1V；
500～1000V±2%±2V；
1000～3300V±1%±5V； 150～3300V
Ic
集射极电流 1～200A 1～200A±3%±1A； 1～200A
Vge
栅极电压 -30V～30V -30～0V±1%±0.1V；
0～+30V±1%±0.1V -30V～30V
Qg
栅极电荷 400~20000nC Ig: 0～50A±3%±0.1mA; 400~20000nC
td(on)、td(off)
开通/关断延迟 10～1000ns 10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns
tr、tf
上升/下降时间 10～1000ns 10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns；
Eon、Eoff
开通/关断能量 1～5000mJ 1～50mJ±2%±0.1mJ；
50～200mJ±2%±1mJ；
200～1000mJ±2%±2mJ；
1000～5000mJ±1%±5mJ；
3.3主要技术要求
3.3.1 动态参数测试单元技术要求
3.3.1.1 环境条件
1)海拔高度：海拔不超过1000m；
2)温度：储存环境温度 -20℃～60℃；
3)工作环境温度： -5℃～40℃；
4)湿度：20%RH 至 90%RH (无凝露，湿球温度计温度: 40℃以下)；
5)震动：抗能力按7级设防，地面抗震动能力≤0.5g；
6)防护：无较大灰尘，腐蚀或性气体，导电粉尘等空气污染的损害；
2.4短路技术条件
1、Vcc： 200～1000V
200～1000V±3%±2V
2、一次短路电流：20000A
500～1000A±3%±2A
1000A～5000A±2%±5A
5000A～20000A±2%±10A
3、tp：5-30us
2.5雪崩技术条件
1、Vce：50～500V±3%±5V
500～1000V±3%±5V
2、Ic：1A～50A
1A～9.9A±3%±50mA
10A～50A±3%±1A
3、EA：10mJ～20J
10mJ～1000mJ±3%±1mJ
1J～20J±3%±10mJ
4、脉冲宽度：40—1000uS可设定
5、测试频率：单次
2.6 NTC测试技术条件
阻值测量范围：0～20KΩ
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