在高温超导领域,氧化镁(MgO)晶体作为薄膜生长基片和半导体材料的衬底驻基片同其它材料相比(如金刚石、白蓝宝石等)具有明显的价格优势,且性能良好。主要性能参数 生长方法:弧熔法;晶体结构:立方;晶格常数:a=4.130 A;熔点(℃):2800;纯度:99.95%;密度(g/cm3):3.58;硬度:5.5(mohs);热膨胀系数(/℃):11.2x10-6;晶体解理面
MgO晶体基片价格
在高温超导领域,氧化镁(MgO)晶体作为薄膜生长基片和半导体材料的衬底驻基片同其它材料相比(如金刚石、白蓝宝石等)具有明显的价格优势,且性能良好。主要性能参数 生长方法:弧熔法;晶体结构:立方;晶格常数:a=4.130 A;熔点(℃):2800;纯度:99.95%;密度(g/cm3):3.58;硬度:5.5(mohs);热膨胀系数(/℃):11.2x10-6;晶体解理面:<100>;光学透过:>90%(200~400nm),>98%(500~1000nm);介电常数:ε= 9.65;热导率(卡/度 厘米 秒):0.14 300°K。
具有岩盐晶体结构的氧化镁(MgO)是一种宽禁带氧化物绝缘体,带隙Eg为7.8 eV。优良的绝缘性、热传导性、热稳定性等特点使得MgO具有十分广泛的应用。氧化镁(MgO)不仅可以作为催化剂、抗1菌剂,还可作为传感材料、电器绝缘材料等,并且可以用作磁隧道结的绝缘层。由于氧化镁(MgO)单晶在微波波段的介电常数和损耗都很小,且能得到的基片(直径2'及更大),所以是当前产业化的重要高温超导薄膜单晶基片之一。 可用于制作移动通讯设备所需的高温超导微波滤波器等器件。具有很大的现实及潜在应用市场。
氧化镁(MgO)是离子化合物,同样也是离子晶体,虽然一般来说,原子晶体的熔点的确比离子晶体高,但是这并不绝1对,键能较低的原子晶体熔点明显比键能高的离子晶体低。因为氧化镁是由氧离子和镁离子通过离子键结合成的.。透明MgO单晶的熔点高达2800℃,是无残留气孔的高致密性材料。因其光透过率、折射率、热导率、电绝缘性、化学稳定性、机械强度等方面性能优异,具有广泛的用途。
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