IGBT测试装置技术要求
（1）设备功能
IGBT模块检测装置是用于IGBT的静态参数测试。系统的测试原理符合相应的，系统为独立式单元，封闭式结构，具有升级扩展潜能。测试过程简单，既可以在测试主机里设置参数直接测试，又可以通过软件控制主机编程后进行自动测试。
IGBT模块检测装置是用于IGBT的静态参数测试，在IGBT的检测中，采用大电流脉冲对IGBT进行VCE饱和压降及续流二极管压降的检
大功率IGBT测试仪批发
IGBT测试装置技术要求
（1）设备功能
IGBT模块检测装置是用于IGBT的静态参数测试。系统的测试原理符合相应的，系统为独立式单元，封闭式结构，具有升级扩展潜能。测试过程简单，既可以在测试主机里设置参数直接测试，又可以通过软件控制主机编程后进行自动测试。
IGBT模块检测装置是用于IGBT的静态参数测试，在IGBT的检测中，采用大电流脉冲对IGBT进行VCE饱和压降及续流二极管压降的检测。为提供稳定的大电流脉冲，采用了支撑电容补偿及步进充电的方法，解决IGBT进行VCE饱和压降及续流二极管压降的检测问题。
测试的IGBT参数包括：ICES（漏流）、BVCES（耐压）、IGESF（正向门极漏流）、IGESR（反向门极漏流）、VGETH（门槛电压／阈值）、VGEON（通态门极电压）、VCESAT（饱和压降）、ICON（通态集极漏流）、VF（二极管压降）、GFS（跨导）、rCE（导通电阻）等全直流参数, 所有小电流指标保证1%重复测试精度, 大电流指标保证2%以内重复测试精度。工作湿度 13）被测器件旁路开关被测安全接地开关，设备不运行时，被测接地。
半导体元件全自动测试系统，可以元件在真正工作状态下的电流及电压，并测量重要参数的数据，再与原出厂指标比较，由此来判定元件的好坏或退化的百分比。每个电流模块，都具有独立的供电系统，以便在测试时，提供内部电路及电池组充电之用； 可选购外部高压模块，执行关闭状态参数测试如：各项崩溃电压与漏电流测量达2KV。7测试夹具
1、控制方式：气动控制
2、控温范围：室温—150℃室温—125℃±1。
3.1开通时间Ton测试原理框图
图3-1开通时间测试原理框图
其中：Vcc 试验电压源
±VGG 栅极电压
C1 箝位电容
Q1 陪测器件（实际起作用的是器件中的续流二极管）
L 负载电感 ：100uH、200uH、500uH、1000uH自动切换
IC 集电极电流取样电流传感器
DUT 被测器件
开通时间定义（见下图）：栅极触发信号第二个脉冲上升的10%到集电极电流IC上升到10%的时间间隔为开通延迟时间td （on） ，集电极电流IC上升的10%到90%的时间间隔即为电流上升时间tr ，则ton= td （on）+tr
7要求
卖方应通过ISO 9001质量论证。
卖方所提供的元件，必须是经过检验合格的器件，否则，买方有权拒付货款。
买方有权要求卖方委托第三方进行有关参数的测试，以确保出厂测试的参数真实有效。
在调试期间发现元件有缺陷或受到损坏，应由卖方负责免费更换并予以赔偿。
卖方由于自身原因而延迟交货时，买方有权按商务规定方法向卖方收取罚款。电流 通过选择不同档位电感，满足0~200A电流输出需求（10ms）。
卖方对技术规范保证数据的有效性及交货保质期等应由双方协商确定并签署在合同中。
（作者： 来源：）
