金属表面处理编程囊括了加工的工序设定、刀具选择，转速设定，刀具每次进给的距离等等。此外，不同产品的装夹方式不同，在加工前要设计好夹具，部分结构复杂产品需要做专门的夹具+Cu／W和Cu／Mo为了降低Cu的CTE，可以将铜与CTE数值较小的物质如Mo、W等复合，得到Cu／W及Cu／Mo金属-金属复合材料。这些材料具有高的导电、导热性能，同时融合W、Mo的低CTE、高硬度特
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金属表面处理编程囊括了加工的工序设定、刀具选择，转速设定，刀具每次进给的距离等等。此外，不同产品的装夹方式不同，在加工前要设计好夹具，部分结构复杂产品需要做专门的夹具+Cu／W和Cu／Mo为了降低Cu的CTE，可以将铜与CTE数值较小的物质如Mo、W等复合，得到Cu／W及Cu／Mo金属-金属复合材料。这些材料具有高的导电、导热性能，同时融合W、Mo的低CTE、高硬度特性。Cu／W及Cu／Mo的CTE可以根据组元相对含量的变化进行调整，可以用作封装底座、热沉，还可以用作散热片。此外，为解决封装的散热问题，各类封装也大多使用金属作为热沉和散热片。②材料制造灵活，价格不断降低，特别是可直接成形，避免了昂贵的加工费用和加工造成的材料损耗。本文主要介绍在金属封装中使用和正在开发的金属材料，这些材料不仅包括金属封装的壳体或底座、引线使用的金属材料，也包括可用于各种封装的基板、热沉和散热片的金属材料。
金属表面处理是选用金属材料做为罩壳或底座，集成ic立即或根据基板安裝在外壳或底座上，导线越过金属材料罩壳或底座大多数选用夹层玻璃—金属材料封接技术性的一种电子器件封装方式。它普遍用以混和电源电路的封装，主要是和订制的型气密性封装，在很多行业，尤其是在及航天航空行业获得了普遍的运用。因此用碳纤维(高纯石墨化学纤维)提高的铜基高分子材料在高功率主要用途很有力。与铜复合型的原材料沿碳纤维长短方位CTE为-0．5×10-6K-1，热导率600-750W(m-1K-1)，而垂直平分碳纤维长短方位的CTE为8×10-6K-1,热导率为51-59W(m-1K-1)，比沿纤维长度方位的热导率少低一个量级。以便降低瓷器基板上的地应力，设计师可以用好多个较小的基板来替代单一的大基板，分离走线。淬火的全铜因为物理性能差，非常少应用。⑥可镀覆性、可焊性和耐蚀性，以实现与芯片、盖板、印制板的可靠结合、密封和环境的保护。冷作硬化的全铜尽管有较高的抗拉强度，但在外壳生产制造或密封性时不高的溫度便会使它淬火变软，在开展机械设备冲击性或稳定瞬时速度实验时导致外壳底端形变。
在金属表面处理解决中获得普遍应用，如美国Sinclair企业在电力电子器件的金属封装中应用Glidcop替代无氧运动高导铜做为基座。美国Sencitron企业在TO-254气密性金属封装中应用陶瓷绝缘子与Glidcop导线封接。很好的传热性，出示热耗散；③很好的导电率，降低传送延迟时间；④优良的EMI／RFI屏蔽掉工作能力；
⑤较低的相对密度，充足的抗压强度和强度，优良的生产加工或成型特性；用作封装的底座或散热片时，这种复合材料把热量带到下一级时，并不十分有效，但是在散热方面是极为有效的。⑥可镀覆性、可焊性和耐腐蚀性，以完成与集成ic、后盖板、pcb板的靠谱融合、密封性和自然环境的维护；⑦较低的成本费。传统式金属封装材料包含Al、Cu、Mo、W、钢、可伐铝合金及其Cu／W和Cu／Mo等 传统式金属封装材料以及局限集成ic材料如Si、GaAs及其陶瓷基板材料如A12O3、BeO、AIN等的热膨胀系数(CTE)接近3×10-6-7×10-6K-1中间。金属封装材料为完成对集成ic支撑点、电联接、热耗散、机械设备和自然环境的维护，应具有下列的规定：①与集成ic或陶瓷基板配对的低热膨胀系数,降低或防止焊接应力的造成；
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