生长氧化锌（ZnO）的方法有助熔剂法、水热法、气相法和坩埚下降法等等,但所生长的氧化锌（ZnO）单晶的尺寸和质量都有待于提高.由于水热法生长氧化锌（ZnO）晶体时,需使用高浓度的碱溶液作矿化剂,因此有必要使用贵1金属衬套管以保护高压釜反应腔内壁,以免遭受碱液的腐蚀。目前,生长氧化锌（ZnO）单晶体的方法有CvT、助熔剂法、溶液法和水热法。采用水热法已经生长出2~3英寸的ZnO晶
氧化锌晶体单晶基片
生长氧化锌（ZnO）的方法有助熔剂法、水热法、气相法和坩埚下降法等等,但所生长的氧化锌（ZnO）单晶的尺寸和质量都有待于提高.由于水热法生长氧化锌（ZnO）晶体时,需使用高浓度的碱溶液作矿化剂,因此有必要使用贵1金属衬套管以保护高压釜反应腔内壁,以免遭受碱液的腐蚀。目前,生长氧化锌（ZnO）单晶体的方法有CvT、助熔剂法、溶液法和水热法。采用水热法已经生长出2~3英寸的ZnO晶体,这证明水热法是一种生长高质量、大尺寸ZnO单晶体的zui有效的方法。
氧化锌晶体作为新一代宽禁带、直接带隙的多功能Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,具有优良的光电、导电、压电、气敏、压敏等特性。ZnO半导体室温带隙为3.37eV,且束缚激子能高达60MeV,使其在紫外半导体光电器件方面具有很大潜在应用价值。制备难度和诱人的应用前景使得氧化锌晶体的生长技术成为材料研究的热点。氧化锌晶体可控生长的关键是控制成核和生长过程,而试验中各工艺参数决定着成核和生长过程,控制了氧化锌晶体的尺寸。
(1) XRD结果表明本试验所获得的产物全为ZnO,峰形尖而窄,说明其结晶度高,XRD图谱与JCPDS卡片号36-1451一致,表明产物均为六方结构的ZnO,同时,晶格常数a=0.3257nm,c=0.52156nm,因此本文研究得到的氧化锌晶体为六方红锌矿结构。
(2) 通过大尺寸氧化锌晶体的照片研究表明,晶体像一根长针,说明晶体沿一个方向生长,从XRD看出,(000ι)为主要生长方向,这与通常报道的氧化锌具有沿+c轴取向生长的机理相同。
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