为何老化的元件必须尽早发现及尽早更换？当功率元件老化时，元件的内阻在导通时必定会加大，因而使温度升高，并使其效能降低。1~1ms可设定
4）栅极漏电流测试电路栅极漏电流测试电路
。长期使用后若温升过高时，会使元件在关闭时的漏电流急遽升高。(因漏电流是以温度的二次方的曲线增加)，进而使半导体的接口产生大量崩溃，而将此元件完全烧毁。当元件损毁时，会连带将其驱动电路上的元件或与其并联使用的功率元件一并损
地铁IGBT测试仪价格
为何老化的元件必须尽早发现及尽早更换？
当功率元件老化时，元件的内阻在导通时必定会加大，因而使温度升高，并使其效能降低。1~1ms可设定
4）栅极漏电流测试电路栅极漏电流测试电路
。长期使用后若温升过高时，会使元件在关闭时的漏电流急遽升高。(因漏电流是以温度的二次方的曲线增加)，进而使半导体的接口产生大量崩溃，而将此元件完全烧毁。当元件损毁时，会连带将其驱动电路上的元件或与其并联使用的功率元件一并损伤，所以，必须即早发现更换。
技术要求
3.1整体技术指标
3.1.1 功能与测试对象
*1）功能
GBT模块动态参数测试。
*2）测试对象
被测器件IGBT模块动态参数。测试温度范围 Tj=25°及125°。
3.1.2 IGBT模块动态测试参数及指标
测试单元对IGBT模块和FRD的动态参数及其他参数的定义满足IEC60747-9以及IEC60747-2。
以下参数的测试可以在不同的电压等级、电流等级、温度、机械压力、回路寄生电感以及不同的驱动回路参数下进行。
公司拥有一批长期从事自动控制与应用、计算技术与应用、微电子技术、电力电子技术方面的人才。9A±3%±50mA
10A～50A±3%±1A
3、EA：10mJ～20J
10mJ～1000mJ±3%±1mJ
1J～20J±3%±10mJ
4、脉冲宽度：40—1000uS可设定
5、测试频率：单次
2。公司装备精良，具有的检测手段，产品生产严格按照ISO9001∶2008标准质量管理体系运行，其、技术及工艺方面保持国内，部分产品达到国外同类产品的水平。
产品广泛应用于电力、冶金自动化、轨道交通、电力电子新能源开发等行业，部分产品出口到欧美等发达。
IGBT静态参数测试部分主要材料技术要求
1）阈值电压测试电路
阈值电压测试电路（仅示出IEC标准测试电路）
满足表格9测试参数要求
低压开关电源要求：Vcc=12V (针对上图电路)
可调电源：0.1～10V±1%±0.01V；分辨率0.01V
集电极电流测试电路精度：10～50mA±1%±0.5mA；
50～200mA±1%±1mA；3 机台可测MOS项目 Vf、Vdsat、IGSS、Vgth、BVdss、Rds(on)、Gfs3。200～1000mA±1%±2mA；1000～2000mA±1%±5mA；
2）集射极截止电压/集射极截止电流测试电路
集射极截止电压/发射极截止电流测试电路
高压充电电源：10~2kV连续可调
支撑电容：额定电压2kV
集电极电流ICES：0.01～1mA±3%±0.001mA；1～10mA±2%±0.01mA；10～30mA±1%±0.1mA；30～300mA±1%±0.1mA
集电极电压VCES：200～1500V±2%±1V
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