华科智源IGBT电参数测试仪，可用于多种封装形式的IGBT的测试，还可以测量大功率二极管、IGBT模块、大功率IGBT、大功率双极型晶体管等器件的VI特性测试，广泛应用于轨道交通，电动汽车，风力发电，焊机行业的IGBT来料选型和失效分析。测试工作电压：10kV（整体设备满足GB19517—2009标准外，局部绝缘电压应满足测试需求）18）其他辅件。测试过程简单，既可以在测试主机里设置参数直接测
检修用IGBT测试仪批发
华科智源IGBT电参数测试仪，可用于多种封装形式的IGBT的测试，还可以测量大功率二极管、IGBT模块、大功率IGBT、大功率双极型晶体管等器件的VI特性测试，广泛应用于轨道交通，电动汽车，风力发电，焊机行业的IGBT来料选型和失效分析。测试工作电压：10kV（整体设备满足GB19517—2009标准外，局部绝缘电压应满足测试需求）18）其他辅件。测试过程简单，既可以在测试主机里设置参数直接测试，又可以通过软件控制主机编程后进行自动测试。
深圳市华科智源科技有限公司，是一家从事功率半导体测试系统自主研发制造与综合测试分析服务的高新技术企业，坐落于改革开放之都-深圳，核心业务为半导体功率器件智能检测准备研制生产，公司产品主要涉及SMT首件检测仪，MOS管直流参数测试仪，MOS管动态参数测试仪，IGBT动态参数测试系统，IGBT静态参数测试仪，在线式检修用IGBT测试仪，变频器检修用IGBT测试仪，IGBT模块测试仪，轨道交通检修用IGBT测试仪，风力发电检修用IGBT测试仪。1V -30V～30VQg栅极电荷 400~20000nC Ig:0～50A±3%±0。
什么是大功率半导体元件？其用途为何？
凡是半导体元件如金属氧化场效晶体管(MOSFET)、IGBT(INSULATED GATE B.TRANSISTOR)及TRIAC（可控硅）、SCR（晶闸管）、 GTO等各型闸流体与二极管(DI ODE)等，其工作电流与电压乘积若大于1KW以上，均可属于大功率的范围。等领域，使半导体开发技术人员在市场需求下，对大功率元件的发展技术，持续在突破。如下图片所示。此类元件多用于车船，工厂的动力，光电及其他能源的转换上。
3、系统基本参数
3.1 电 压 源：220VAC ±10% ，50Hz/60Hz 20A RMS；
3.2 加热功能：室温～150℃；
3.3 测试功能：可测试IGBT模块及FRD；
3.4 环境温度：25℃±15℃；
3.5 环境湿度：50% ±20% （相对湿度）
4、动态测试基本配置
4.1 集电级电压 Vcc： 50 ~ 1000V；
4.2 集电极电流 Ic： 50 ~ 1000A 感性负载；
4.3 电流持续时间 It： 10 ~ 1000 us 单个脉冲或双脉冲的总时间； 4.4 脉 冲 模 式： 单脉冲和双脉冲；
4.5 单电流脉冲的设置： Vcc，Ic, 电感值（自动计算脉宽）；
4.6 双电流脉冲的设置： Vcc, Ic, 电感值，间隙时间（10到50us）(脉宽自动计算)；
（开启Qrr测试：第二个脉宽＝间隙时间，10~50us）；
4.7 设备寄生电感 Lint: < 65nH（感性动态测试）。
关断时间测试参数：
1、关断时间toff：5～2000ns±3%±3ns
2、关断延迟时间td(off)：5～2000ns±3%±3ns
3、下降时间tf：5～2000ns±3%±3ns
4、关断能量：0.2～1mJ±5%±0.01mJ
1～50mJ±5%±0.1mJ
50～100mJ±5%±1mJ
100～500mJ±5%±2mJ
5、关断耗散功率Pon：10W～250kW
关断时间测试条件：
1、集电极电压Vce：50～100V±3%±1V
100～500V±3%±5V
500V～1000V±3%±10V
2、集电极电流Ic：50～100A±3%±1A;
100～500A±3%±2A;
500～1000A±3%±5A;
（作者： 来源：）
