ParyleneC 在芳烃上一个氢被氯原子取代，具有非常低的水分子和腐蚀性气体的透过率，沉积生长速率也比N型快得多，是目前应用广、防护效果好的粉材。ParyleneD 在芳烃上二个氢被二个氯原子取代，具有阻燃性。在更高温度下具有相对更好的物理及电性能，同时与N、和C型相比，具有更好的热稳定性。
ParyleneHT是苯环上的4个氢原子被氟取代，与C,N,D比较
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ParyleneC 在芳烃上一个氢被氯原子取代，具有非常低的水分子和腐蚀性气体的透过率，沉积生长速率也比N型快得多，是目前应用广、防护效果好的粉材。ParyleneD 在芳烃上二个氢被二个氯原子取代，具有阻燃性。在更高温度下具有相对更好的物理及电性能，同时与N、和C型相比，具有更好的热稳定性。
ParyleneHT是苯环上的4个氢原子被氟取代，与C,N,D比较，其薄膜的介电强度高、介电常数低(即透波性能好)，热稳定性好。薄膜本身连续、致密、无,短期耐温可达450摄氏度，长期耐温可达350摄氏度,并具有强的抗紫外线能力，更适合作为高频微波器件的防护材料。
ParyleneC和ParyleneN的薄膜击穿电压
Parylene的特征之一是它们可以形成极薄的膜层。ParyleneN薄膜和C薄膜的直流击穿电压被确定与高聚物厚度有肯定的关系。图3画出了相干的曲线。对于5个微米（0.0002inch）以下的薄膜,这方面的性能ParyleneC要强于ParyleneN。这些数据注解，两种Parylene材料都具有很好的绝缘性能，即使厚度小于1个微米。随着厚度的减小，单位厚度的击穿电压一样平常将升高。
用ParyleneC涂敷的钢板，在–160℃的液氮中冷却，在Gardner落体试验中可以承受超过100in-lb的冲击。相比之下，室温下为250in-lb。无支持的0.002英寸的ParyleneC薄膜在–165℃下可以弯折180°6次才失效。相比胶而言，聚乙烯、聚氨酯和聚四氟乙烯分别为3次、2次和1次。从2°（–271℃）到室温环境的过程对电气和物理性能都没有影响。对于ParyleneC的厚度从0.002英寸到0.0001英寸的测试效果如表2.很故意思的是，即使对于特别很是薄的涂层（0.0001英寸），绝缘阻抗值也比规定的规格高出一个数量级。
普通的电镀、电泳处理的后的产品的耐盐雾时间仅能达到70-100小时。而采用Parylene可以达到300-500小时。其耐腐蚀时间是前者的4-5倍。磁性材料（绝缘、防锈、防线伤、填补稳定特性制作） 铸造部件 经Parylene处理的表面不会有微粒产生，同时可以增强工作的可靠性，并且可防止污染。
Parylene在精密电子仪器设备PCBA,FPC，ＳＭＤ上的应用
Parylene涂层是在室温下在元件上自发形成的，不需要经升温固化过程，不需要对基材施加室温以上的温度和更多的时间来让膜生长。Parylene有高的机械强度和低的摩擦系数，这二者的结合使Parylene成为对小型绕线伤害元件绝缘层。Parylene是这些组装方式的防护材料。Parylene活性分子的良好穿透力能在元件内部，底部和周围形成无气隙的防护层。
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