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封装用IGBT测试仪现货供应优惠报价,华科IGBT测试系统

欲测知元件老化,所须提供的测量范围为何? 当大功率元件在作导通参数的测试时,电流必须大到其所能承受的正常工作值,同时,在作关闭参数的漏电流测试时,电压也必须够高,以元件在真正工作状态下的电流与电压,如此其老化的程度才可显现。当这两个参数通过后,便表示元件基本上良好,再进一步作其他参数的测量,以分辨其中的优劣。建议进行高温测试,模拟器件使用工况,更为准确的判断器件老化程度。5雪崩技术条件 1、Vce
封装用IGBT测试仪现货供应

欲测知元件老化,所须提供的测量范围为何? 当大功率元件在作导通参数的测试时,电流必须大到其所能承受的正常工作值,同时,在作关闭参数的漏电流测试时,电压也必须够高,以元件在真正工作状态下的电流与电压,如此其老化的程度才可显现。当这两个参数通过后,便表示元件基本上良好,再进一步作其他参数的测量,以分辨其中的优劣。建议进行高温测试,模拟器件使用工况,更为准确的判断器件老化程度。5雪崩技术条件 1、Vce:50~500V±3%±5V500~1000V±3%±5V 2、Ic:1A~50A 1A~9。



2.2反向恢复技术条件 测试参数: 1、Irr(反向恢复电流):50~1000A 50~200A±3%±1A 200~1000A±3%±2A 2、Qrr (反向恢复电荷):1~1000uC 1~50uC±5%±0.1 uC 50~200uC±5%±1 uC 200~1000uC±5%±2 uC 3、trr(反向恢复时间):20~2000ns 20~100±5%±1ns 100~500±5%±2ns 500~2000±3%±5ns 4、Erec(反向关断能量损失):0.5~1000mJ 0.5~1mJ±5%±0.01mJ 1~50mJ±5%±0.1mJ 50~200mJ±5%±1mJ 200~1000mJ±5%±2mJ 测试条件: 1、正向电流IFM:50~1000A 50~200A±3%±1A 200~1000A±3%±2A 2、-di/dt测量范围:200~10000A/us 3、反向关断峰值电压VRRpk:200~1000V±3%±2V 4、dv/dt测量范围:100~10000V/us



开通特性测试采用双脉冲测试法。由计算机设定并控制输出集电极电压VCC值到被测器件的测试要求值(一般为被测器件额定电压的1/2),设定±VGG到测试要求值,计算机控制接通开关S1,并控制输出被测双脉冲触发信号,开通和关断被测器件两次,被测器件次开通后,集电极电流IC上升,直至被测器件饱和导通且IC达到测试规定值时,关断被测器件(设为t1时刻),之后电感L经二极管(Q1内部二极管)续流,IC迅速减小,直至IC降为零时,第二次开通被测器件(设为t2时刻),此后电感L中的电流向IC转移,IC迅速上升(若L足够大,t1~t2间隔足够短,L中的电流可视为恒流),直至被测器件再次达到饱和导通时(设为t3时刻),关断被测器件。测试过程简单,既可以在测试主机里设置参数直接测试,又可以通过软件控制主机编程后进行自动测试。记录下被测器件IC、VCE以及VGE在t2~t3之间的导通波形,其中,VCE采样到示波器的CH1通道,IC取样到示波器的CH2通道,VGE采样到示波器的CH3通道,示波器通过光通讯方式将测试波形传输给计算机,由计算机对测试波形进行分析与计算,后显示测试结果。





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