测量目的：对模块的电压降参数进行检测, 可判断模块是否处于正常状态。
功率模块的VCE-IC特性曲线会随着器件使用年限的增加而变化，饱和压降Vcesat会逐渐劣化。因此，定期检测可预防发现功率模块故障。且变流器由多个模块组成，由于个体差异，大电流情况下的参数也会存在个体差异。因此，测量大电流情况下的各个模块实际技术参数，进行跟踪管理，可有效保障机车中间直流环节可靠运行。卖方出厂试验详细方案应提前提
高铁IGBT测试仪批发
测量目的：对模块的电压降参数进行检测, 可判断模块是否处于正常状态。
功率模块的VCE-IC特性曲线会随着器件使用年限的增加而变化，饱和压降Vcesat会逐渐劣化。因此，定期检测可预防发现功率模块故障。且变流器由多个模块组成，由于个体差异，大电流情况下的参数也会存在个体差异。因此，测量大电流情况下的各个模块实际技术参数，进行跟踪管理，可有效保障机车中间直流环节可靠运行。卖方出厂试验详细方案应提前提交买方评估，通过买方评估合格后实施方可视为有效试验。
IGBT模块VCE-IC特线（单管），Vcesat随电流变大而增大。
现今Power MOSFET(金属氧化物场效晶体管)及IGBT（绝缘栅型场效应晶体管）已成为大功率元件的主流，在市场上居于主导地位。由于科技进步，电力电子装置对轻薄短小及之要求 ,带动MOSFET及IGBT的发展，尤其应用于电气设备、光电、航天、铁路、电力转换.当元件损毁时，会连带将其驱动电路上的元件或与其并联使用的功率元件一并损伤，所以，必须即早发现更换。...等领域，使半导体开发技术人员在市场需求下，对大功率元件的发展技术，持续在突破。
为何老化的元件必须尽早发现及尽早更换？
当功率元件老化时，元件的内阻在导通时必定会加大，因而使温度升高，并使其效能降低。长期使用后若温升过高时，会使元件在关闭时的漏电流急遽升高。(因漏电流是以温度的二次方的曲线增加)，进而使半导体的接口产生大量崩溃，而将此元件完全烧毁。包装与运输由专人负责，每个部分随机文件包括发货清单、出厂合格证、试验报告和主要器件说明书等。当元件损毁时，会连带将其驱动电路上的元件或与其并联使用的功率元件一并损伤，所以，必须即早发现更换。
安全工作区测试负载电感
电感量 1mH 、10mH、50mH、100mH
电流 通过选择不同档位电感，满足0~200A电流输出需求（10ms）
瞬态电压 大于10kV
负载电感 配备自动切换开关，可分别接通不同电感值，由计算机控制自动接通；自动切换开关参数性能需求与电感要求相匹配。
5）补充充电回路限流电感
限制充电回路中的di/dt。
电感量 100μH
电流能力 6000A （5ms）
瞬时耐压 10kV
工作温度室温～40℃
工作湿度 <70%
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