1.1 设备数量 1套
* 1.2 设备功能 测试功率半导体器件静态参数
* 1.3 设备组成 设备包含硬件模块和软件模块两大部分
* 1.4 硬件模块 设备硬件部分应包括测试主机、测试线缆，测试夹具、控制电脑等
* 1.5 软件模块 设备软件部分应包括：
1.操作系统、备份、保存、远程控制编辑、上传、故障自检报警等基本功能；3、集电极电压：50～100V±3%±1V
100～500V±3%±5
风力发电用IGBT测试仪现货供应
1.1 设备数量 1套
* 1.2 设备功能 测试功率半导体器件静态参数
* 1.3 设备组成 设备包含硬件模块和软件模块两大部分
* 1.4 硬件模块 设备硬件部分应包括测试主机、测试线缆，测试夹具、控制电脑等
* 1.5 软件模块 设备软件部分应包括：
1.操作系统、备份、保存、远程控制编辑、上传、故障自检报警等基本功能；3、集电极电压：50～100V±3%±1V
100～500V±3%±5V
500V～1000V±3%±10V
4、栅极驱动电流：满足5A以下测试要求。
2. 图形化操作界面；中/英文操作系统
3.输出EXCEL、wor测试报告
*4.切换大小功率测试模块，达到相应测试精度
*5.可生成器件的I-V特性曲线，曲线上测试点数据可以导出到EXCEL表格；
*6.同一测试条件的器件的测试曲线可以在软件内进行对比，新测曲线可以与原测曲线进行对比；
2、设备尺寸
2.1 设备总体长度 ≤ 700 mm
2.2 设备总体宽度 ≤600mm
2.3 设备总体高度 ≤500mm
现今Power MOSFET(金属氧化物场效晶体管)及IGBT（绝缘栅型场效应晶体管）已成为大功率元件的主流，在市场上居于主导地位。测试参数多且完整、应用领域更广泛，但只要使用其基本的2项功能：「开启」电流压降，「关闭」电流的漏电流，就可知道大功半导体有没有老化的现象。由于科技进步，电力电子装置对轻薄短小及之要求 ,带动MOSFET及IGBT的发展，尤其应用于电气设备、光电、航天、铁路、电力转换....等领域，使半导体开发技术人员在市场需求下，对大功率元件的发展技术，持续在突破。
3、技术指标
* 3.1 机台可测试器件类型 二极管、MOSFET、IGBT单管及模组
* 3.2 机台可测IGBT项目
及测试范围 VGE(th)栅极阈值电压
VCES集射极截止电压
ICES集射极截止电流
VCE(sat)饱和导通压降
Iges栅极漏电流
VF二极管导通电压
可以测5000V,1600A以下的IGBT模块
* 3.3 机台可测MOS项目 Vf、Vdsat、IGSS、Vgth、BVdss、Rds(on)、Gfs
3.4
测试项目 测量范围 测试条件与精度
*
3.5 VGE(th)
栅极阈值电压 0.1～10V VGE：0.1～10V±1%±0.01V；01mA
栅极电压VGE： 0V
6）栅极-发射极阈值电压
VGEth： 1-10V±2%±0。
解析度：0.01V
集电极电流Ic：
10～50mA±1%±0.5mA；
50～200mA±1%±1mA；
200～1000mA±1%±2mA；
1）可调充电电压源
用来给电容器充电，实现连续可调的直流母线电压，满足动态测试、短路电流的测试需求。
输入电压 380V±10%
频率 50HZ；
输出电压 500～1500V可调（可多个电源组成）
输出电流 10A；
电压控制精度 1%
电压调整率 <0.1%；
纹波电压 <1%；
工作温度 室温～40℃；
保护 有过压、过流、短路保护功能。
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