磁控方箱生产线介绍
用于纳米级单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。广泛应用于大专院校、科研院所的薄膜材料科研与小批量制备。
主要由真空室系统溅射室、靶及电源系统、样品台系统、真空抽气及测量系统、气路系统、电控系统、计算机控制系统及辅助系统等组成。
技术指标： 极限真空度6.7×10-5Pa，系统漏率：1×10-7Pa
多靶磁控溅射仪公司
磁控方箱生产线介绍
用于纳米级单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。广泛应用于大专院校、科研院所的薄膜材料科研与小批量制备。
主要由真空室系统溅射室、靶及电源系统、样品台系统、真空抽气及测量系统、气路系统、电控系统、计算机控制系统及辅助系统等组成。
技术指标： 极限真空度6.7×10-5Pa，系统漏率：1×10-7PaL/S； 恢复真空时间：40分钟可达6.6×10 Pa（短时间暴露 大气并充干燥氮气后开始抽气）
镀膜方式：磁控靶为直靶，向下溅射成膜； 样品基片: 负偏压 -200V
样品转盘：在基片传输线上连续可调可控，在真空下可轮流任意靶位互换工作。样品转盘由伺服电机驱动，计算机控制其水平传递；
可选分子泵组或者低温泵组合涡旋干泵抽气系统，计算机控制系统的功能：对位移和样品公转速度随时间的变化做实时采集，对位移误差进行计算，以曲线和数值显示。样品公转速度对位移曲线可在线性和对数标度两种显示之间切换，可实现换位镀膜。
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光纤磁控溅射镀膜机组成
以下内容由沈阳鹏程真空技术有限责任公司为您提供，希望对同行业的朋友有所帮助。
设备用途：
在光纤表面镀制纳米级单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。配有阳极层离子源进行清洗和辅助沉积，同时设备具有反溅射清洗功能，以提高膜的质量和牢固度。样品台可镀制多种型号光纤产品
系统主要由真空室、磁控靶、单基片加热台、直流电源、射频电源、工作气路、抽气系统、真空测量、电控系统及安装机台等部分组成。
溅射镀膜
溅射镀膜就是在真空中利用荷能粒子轰击靶表面，使被轰击出的粒子沉积在基片上的技术。通常，利用低压惰性气体辉光放电来产生入射离子。阴极靶由镀膜材料制成，基片作为阳极，真空室中通入0.1-10Pa的气或其它惰性气体，在阴极（靶）1-3KV直流负高压或13.56MHz的射频电压作用下产生辉光放电。电离出的离子轰击靶表面，使得靶原子溅出并沉积在基片上，形成薄膜。溅射方法很多，主要有二级溅射、三级或四级溅射、磁控溅射、对靶溅射、射频溅射、偏压溅射、非对称交流射频溅射、离子束溅射以及反应溅射等。磁控溅射——溅射技术介绍直流溅射法：直流溅射法要求靶材能够将从离子轰击过程中得到的正电荷传递给与其紧密接触的阴极，从而该方法只能溅射导体材料，不适于绝缘材料。
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