电容器在电源中的应用之浪涌电压保护
可靠性高，体积小，充放电寿命长，电压高达150kV，放电电流大，介质损耗＜0.1%。
开关频率很高的现代功率半导体器件易受潜在的损害性电压尖峰脉冲的影响。跨接在功率半导体器件两端的浪涌电压保护电容器（如EPCOSB32620-J或B32651..56）通过吸收电压脉冲限制了峰值电压，从而对半导体器件起到了保护作用，使得浪涌电压保护
医疗电源高压陶瓷电容器生产厂家
电容器在电源中的应用之浪涌电压保护
可靠性高，体积小，充放电寿命长，电压高达150kV，放电电流大，介质损耗＜0.1%。
开关频率很高的现代功率半导体器件易受潜在的损害性电压尖峰脉冲的影响。跨接在功率半导体器件两端的浪涌电压保护电容器（如EPCOSB32620-J或B32651..56）通过吸收电压脉冲限制了峰值电压，从而对半导体器件起到了保护作用，使得浪涌电压保护电容器成为功率元件库中的重要一员。5、调谐：对与频率有关的电路进行系统调谐，比方手机、收音机、电视机。半导体器件的额定电压和电流值及其开关频率左右着浪涌电压保护电容器的选择。由于这些电容器承受着很陡的DV/DT值，因此，对于这种应用而言，薄膜电容器是恰当之选。
在额定电压值高达2000VDC的条件下，典型的电容额定值在470PF～47NF之间。对于大功率的半导体器件，如IGBT，电容值可高达2.2ΜF，电压在1200VDC的范围内。不能仅根据电容值/电压值来选择电容器。在大功率、高压领域使用的高压陶瓷电容器，要求具有小型、高耐压和频率特性好等特点。在选择浪涌电压保护电容器时，还应考虑所需的DV/DT值。耗散因子决定着电容器内部的功率耗散。因此，应选择一个具有较低损耗因子的电容器作为替换。
高压陶瓷的作用
高压陶瓷电容器，即使用在电力系统中的高压陶瓷电容器，一般如电力系统的计量，储能，分压等产品中，都会用到高压陶瓷电容器。高压陶瓷电容器的作用主要分为送电、配电系统的电力设备和处理脉冲能量的设备。
因为电力系统的特殊性1：交流电压高，高频，处于室外环境中(-40度到+60度)，雷击电压/电流大，等等各种因素，造成了高压陶瓷电容器在研发和生产中一直处于困境:环境的恶劣，要求电容具有超1强的稳定性，即变化率要小；同时，计量，储能，分压等产品要求高精密度，这对处于这种环境下的高压陶瓷电容器的局放，即局部放电量有着极为苛刻的要求：局放为零。图1所示为Cymbet公司的CBC-EVAL-11RF感应充电器评估套件。
在大功率、高压领域使用的高压陶瓷电容器，要求具有小型、高耐压和频率特性好等特点。近年来随着材料、电极和制造技术的进步，高压陶瓷电容器的发展有长足的进展，并取得广泛应用。高压陶瓷电容器已成为大功率高压电子产品不可缺少的元件之一。
电容器在yilao器械中选型及应用一
开关电源中的电容
电气医1疗器械中，需要对电源进行的控制和调节，才能支持设备执行每一功能。交、直流电源均被广泛应用于这些场合。开关电源用于对这些电源进行控制，由于具有显著优点，开关电源已成为大部分电子产品的标准电源。
电容可用来减少纹波并吸收开关稳压器产生的噪声，它还可以用于后级稳压，提高设备的稳定性和瞬态响应能力。电源输出中不应出现任何纹波噪声或残留抖动。这些电路常采用钽电容来降低纹波，但钽电容有可能受到开关稳压器的噪声影响而产生不安全的瞬变现象。
为保证可靠工作，必须降低钽电容的额定电压。例如，额定值为10uF/35V的D型钽电容，工作电压应降低到17V，如果用在电源输入端过滤纹波，额定35V钽电容可在高达17V的电压导轨上可靠地工作。
高压电源总线系统一般很难达到额定电压降低50%的指标。这种情况限制了钽电容用于电压导轨大于28V的应用。目前，由于钽电容需要被降额使用，高压滤波应用唯1可行的办法是采用体积较大且带引线的电解电容，而不是钽电容。
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