北京赛米莱德贸易有限公司供应美国Futurrex新型lift-off光刻胶NR9-3000PY，NR9i-3000PY有下面的优势： 1. 比较高的光刻速度，可以定制光刻速度来曝光产量 2. 比较高的分辨率和快的显影时间 3. 根据曝光能量可以比较容易的调整侧壁角度 4. 耐温可以达到100摄氏度 5. 用RR5去胶液可以很容易的去胶 NR9-3000PY的制作和工艺是根据职业
NR21 20000P光刻胶厂家
北京赛米莱德贸易有限公司供应美国Futurrex新型lift-off光刻胶NR9-3000PY，NR9i-3000PY有下面的优势： 1. 比较高的光刻速度，可以定制光刻速度来曝光产量 2. 比较高的分辨率和快的显影时间 3. 根据曝光能量可以比较容易的调整侧壁角度 4. 耐温可以达到100摄氏度 5. 用RR5去胶液可以很容易的去胶 NR9-3000PY的制作和工艺是根据职业和环境的安全而设计。AFuturrex,NR7serious(负光阻)Orpr1serious(正光阻)，再经过HMCTSsilyiationprocess,可以达到耐高温200度，PSPI透明polyimide,可耐高温250度以上。
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光刻工艺主要性一
光刻胶不仅具有纯度要求高、工艺复杂等特征，还需要相应光刻机与之配对调试。光刻胶：用化学反应进行图像转移的媒介光刻胶具有光化学敏感性，其经过曝光、显影、刻蚀等工艺，可以将设计好的微细图形从掩膜版转移到待加工基片。一般情况下，一个芯片在制造过程中需要进行10~50道光刻过程，由于基板不同、分辨率要求不同、蚀刻方式不同等，不同的光刻过程对光刻胶的具体要求也不一样，即使类似的光刻过程，不同的厂商也会有不同的要求。
针对不同应用需求，光刻胶的品种非常多，这些差异主要通过调整光刻胶的配方来实现。因此，通过调整光刻胶的配方，满足差异化的应用需求，是光刻胶制造商核心的技术。
此外，由于光刻加工分辨率直接关系到芯片特征尺寸大小，而光刻胶的性能关系到光刻分辨率的大小。限制光刻分辨率的是光的干涉和衍射效应。光刻分辨率与曝光波长、数值孔径和工艺系数相关。
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5,显影液
在已经曝光的硅衬底胶面喷淋显影液，或将其浸泡在显影液中，正胶是曝光区、而负胶是非曝光区的胶膜溶入显影液，胶膜中的潜影显现出来，形成三维图像。
显影完成后通常进行工艺线的显影检验，通常是在显微镜下观察显影效果，显影是否、光刻胶图形是否完好。
影响显影的效果主要因素：
1，曝光时间，
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