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结晶硅微粉的主要化学成分是SiO2，含量达99.4 wt.%以上，还含有微量的Fe2O3和Al2O3，其技术指标如表1所示。由于硅微粉纯度高，因此电导率较低，为5 ~30 μS·cm-1，使聚合物具有较好的绝缘性能和抗电弧性能。此外，结晶硅微粉的熔点为1710℃，具有高热稳定性、高导热率（5～12.6 W/m·K）和低热膨胀
铸造用硅微粉价格
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结晶硅微粉的主要化学成分是SiO2，含量达99.4 wt.%以上，还含有微量的Fe2O3和Al2O3，其技术指标如表1所示。由于硅微粉纯度高，因此电导率较低，为5 ~30 μS·cm-1，使聚合物具有较好的绝缘性能和抗电弧性能。
此外，结晶硅微粉的熔点为1710℃，具有高热稳定性、高导热率（5～12.6 W/m·K）和低热膨胀系数（9×10-6/℃），能有效提高聚合物的导热性，并降低热膨胀系数，从而消除内应力，提高聚合物机械性能。
一般集成电路都是用光刻的方法将电路集中刻制在单晶硅片上，然后接好连接引线和管角，再用环氧塑封料封装而成。塑封料的热膨胀率与单晶硅的越接近，集成电路的工作热稳定性就越好。单晶硅的熔点为1415℃，膨胀系数为3.5PPM，熔融石英粉的为(0.3～0.5)PPM，环氧树脂的为(30～50)PPM，当熔融球形石英粉以高比例加入环氧树脂中制成塑封料时，其热膨胀系数可调到8PPM左右，加得越多就越接近单晶硅片的，也就越好。而结晶粉俗称生粉的热膨胀系数为60PPM，结晶石英的熔点为1996℃，不能取代熔融石英粉(即熔融硅微粉)，所以中集成电路中不用球形粉时，也要用熔融的角形硅微粉。这也是球形粉想用结晶粉为近球形不能成功的原因所在。效果不行，走不通；10年前，包括现在我国还有人走这条路，从以上理论证明此种方法是不行的。即塑封料粉不能用结晶粉取代。
硅微粉与微硅粉外观上的差异：从外观上来说，硅微粉其质纯、色白、颗粒均衡，是一种无毒、无味、无污染的无机非金属材料;而微硅粉则根据硅石原料、还原剂或炉况的不同，绝大多数微硅粉呈灰色或深灰色。在形成过程中，因相变的过程中受表面张力的作用，形成了非结晶相无定形圆球状颗粒，且表面较为光滑，有些则是多个圆球颗粒粘在一起的团聚体。
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